[发明专利]一种硫化铜纳米花的制备方法

说明书

本发明公开了一种硫化铜纳米花的制备方法，涉及纳米材料制备技术领域，包括以下步骤：S100、将铜源加入去离子水中并搅拌；S200、将硫化钠和氧化剂加入到步骤S100得到溶液中超声分散或者静置得到硫化铜初级产物，其中，所述氧化剂为过硫酸铵溶液；S300、将步骤S200得到的硫化铜初级产物洗涤、干燥后得到最终产物硫化铜纳米花。本发明提供的硫化铜纳米花的制备方法适于大规模化的工业生产，具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种硫化铜纳米花的制备方法。

背景技术

硫化铜(CuS)是一种P型窄禁带隙半导体材料，禁带宽度为1.2eV，具有优良的电化学、光化学、催化性能。在气体传感、非酶葡萄糖传感、超级电容器、锂离子电池等领域有着优良的性能和广泛的应用。纳米材料的特殊性能与其自身结构、组成成分、材料尺寸有着密切的关联。通过控制纳米材料的结构特征和形貌特征，可实现对其性能的调控和优化。已有文献报道的硫化铜晶体形貌包括纳米花、纳米球和纳米空心结构等。现有的有关纳米硫化铜纳米材料的制备方法主要集中在水热法和固相法，这些方法合成工艺复杂，合成条件苛刻，极大的制约了该材料的大规模商业化生产。

因此，开发一种低成本和可控性良好的原位生长法，能够实现硫化铜纳米材料形貌结构的有效调控，对提高硫化铜纳米材料的性能和扩展其应用具有重要的意义。

发明内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是提供一种硫化铜纳米花的制备方法，该方法能够实现硫化铜纳米材料形貌结构的有效调控，提高硫化铜纳米材料的性能，并对拓展硫化铜纳米材料的应用具有重要的意义。

为实现上述目的，本发明提供了一种硫化铜纳米花的制备方法，包括：

S100、将铜源加入去离子水中并搅拌得到悬浊液；

S200、将硫化钠和氧化剂加入到步骤S100得到的悬浊液中超声分散或者静置得到硫化铜初级产物，其中，所述氧化剂为过硫酸铵溶液；

S300、将步骤S200得到的硫化铜初级产物洗涤干燥后得到最终产物硫化铜纳米花。

本发明与现有技术相比，其优势在于：

(1)本发明提供的硫化铜纳米花的制备方法工艺简单、成本低廉，通过对搅拌温度、反应时间以及硫化钠和过硫酸铵溶液的浓度和加入量的调节，能够得到形貌可控的硫化铜纳米花；

(2)本发明提供的硫化铜纳米花的制备方法适于大规模化的工业生产，具有良好的应用前景。

以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本发明的目的、特征和效果。

附图说明

图1是本发明的一个较佳实施例的硫化铜纳米花制备方法的流程图；

图2为本发明实施例1制备的硫化铜纳米花的TEM图；

图3为本发明实施例1制备的硫化铜纳米花的非酶葡萄糖传感测试对葡萄糖浓度的响应台阶曲线；

图4为本发明实施例2制备的硫化铜纳米花的SEM图；

图5为本发明实施例3制备的硫化铜纳米花的TEM图；

图6为本发明实施例4制备的硫化铜纳米花的TEM图；

图7为本发明实施例5制备的硫化铜纳米花的TEM图。

具体实施方式

以下参考说明书附图介绍本发明的多个优选实施例，使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。

如图1本发明的一个较佳实施例的硫化铜纳米花制备方法的流程图所示，包括：