[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201910723655.4 | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN110571240B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 李远航 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括发光层和位于所述发光层上方的触控层;
其中,所述发光层包括多个发光单元;
其中,所述触控层包括:
触控走线层,所述触控走线层包括多个间隙,所述多个间隙与所述多个发光单元对应设置;
滤光结构,所述滤光结构包括多个滤光片,所述多个滤光片设置在所述触控走线层的多个间隙中;
其中,所述触控走线层包括第一金属层、遮光层和第二金属层,所述遮光层的面积大于所述第一金属层的面积,且所述遮光层在所述发光层上的投影覆盖所述第一金属层在所述发光层上的投影,所述第一金属层设置有凹陷部,所述第二金属层位于所述遮光层上,并通过通孔与所述第一金属层电连接;
其中,所述多个间隙在所述显示面板的出光面上的投影与所述第一金属层和第二金属层在所述发光层上的投影不重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括隔离层,所述隔离层位于所述发光层和所述触控层之间,所述第一金属层设置在所述隔离层上。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个滤光片和所述多个发光单元一一对应,任意一个滤光片所保留的光线颜色和与所述滤光片对应的发光单元发出的光线颜色相同。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,任意一个滤光片的面积大于所述滤光片所在的间隙的面积,任意一个滤光片的边缘覆盖于所述滤光片相邻的遮光层的边缘。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述多个间隙的面积之和大于所述多个发光单元的面积之和。
6.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述触控走线层还包括平坦化层,所述平坦化层覆盖所述遮光层和所述滤光结构,所述第二金属层位于所述平坦化层上,并通过通孔与所述第一金属层电连接。
7.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述隔离层上设置有多个凹槽结构,所述多个凹槽结构与所述多个滤光片一一对应,任意一个滤光片的底部嵌入在于所述滤光片对应的凹槽结构中。
8.一种显示面板的制作方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
形成发光层,所述发光层包括多个发光单元;
在所述发光层上方形成触控走线层,所述触控走线层包括多个间隙,所述多个间隙与所述多个发光单元对应设置;
形成滤光结构,所述滤光结构包括多个滤光片,所述多个滤光片设置在所述触控走线层的多个间隙中;
其中,形成所述触控走线层的方法包括以下步骤:
形成第一金属层,所述第一金属层设置有凹陷部;
形成遮光层,所述遮光层的面积大于所述第一金属层的面积,且所述遮光层在所述发光层上的投影覆盖所述第一金属层在所述发光层上的投影;
形成第二金属层,所述第二金属层位于所述遮光层上,并通过通孔与所述第一金属层电连接;
其中,所述多个间隙在所述显示面板的出光面上的投影与所述第一金属层和第二金属层在所述发光层上的投影不重叠。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法,其特征在于,形成发光层之后还包括以下步骤:
形成隔离层,所述隔离层位于所述发光层上。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,形成所述第一金属层和所述遮光层的方法包括:
形成金属薄膜,所述金属薄膜覆盖所述隔离层;
形成黑色光阻,所述黑色光阻覆盖所述金属薄膜;
图形化所述黑色光阻,形成所述遮光层;
以所述黑色光阻为掩膜,将所述金属薄膜图形化,形成所述第一金属层。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法,其特征在于,将所述金属薄膜图形化的方法为干法刻蚀;
其中,沿平行于所述金属薄膜表面的方向的刻蚀速度小于或等于沿垂直于所述金属薄膜表面的方向的刻蚀速度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的