[发明专利]一种基于二氧化钒的宽带可调谐太赫兹吸收体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910723670.9 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110429388A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 白晋军;张曙升;范飞;王莎莎;孙晓东;苗银萍;常胜江 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300387 *** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合结构层 吸收体 金属结构层 二氧化钒 太赫兹波 相变材料 介质层 可调谐 宽带 制备 嵌套 电导率 单元横截面 方框结构 金属方框 空间叠加 宽带吸收 外部激励 吸收效率 谐振结构 基底层 金属块 调制 嵌入 光照 | ||
1.本发明公开了一种基于二氧化钒的宽带可调谐太赫兹吸收体及其制备方法。其特征在于所述的太赫兹吸收体单元横截面为正方形，自下而上依次由基底层，复合结构层，介质层，金属结构层组成。所述的复合结构层是由嵌入相变材料方框结构的介质层组成，所述的金属结构层是由金属方框和金属方块嵌套而成。
2.根据权利要求1所述的太赫兹吸收体，其特征在于所述基底层材料为硅材料，所述的基底层厚度为10-500μm。
3.根据权利要求1所述的太赫兹吸收体，其特征在于所述金属结构层中方形金属结构和方框金属结构材料为贵金属材料，所述的金属结构层厚度为0.01-0.2μm。
4.根据权利要求3所述的金属结构层，其特征在于所述的金属方块结构的边长为8-9.5μm，金属方框结构的内边长为9.5-10μm，外边长为10-11μm。
5.根据权利要求1所述的太赫兹吸收体，所述的介质层厚度为3-5μm。
6.根据权利要求1所述的太赫兹吸收体，其特征在于所述的复合结构层、介质层的介质材料为聚酰亚胺，所述的复合结构层是由嵌入相变材料方框结构的介质层组成，所述的复合结构层厚度为0.1-1μm。
7.根据权利要求6所述的复合结构层，其特征在于所述的复合结构层中相变材料方框结构的内边长为6-8μm，外边长为14-16μm。
8.根据权利要求1所述的太赫兹吸收体，其特征在于所述太赫兹吸收体周期单元的横截面呈正方形，单元周期为15-18μm。
9.一种基于二氧化钒的宽带可调谐太赫兹吸收体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基底层，清洗基底层并吹干，打磨基底层下表面。
在所述的基底层上表面使用气相沉积法合成聚酰亚胺涂层，然后进行涂胶、曝光、显影，刻蚀和清洗得到复合结构层中介质结构。
在所述的基底层上使用化学沉积法(PECVD)沉积得到复合结构层中相变材料薄膜，然后进行涂胶、曝光、显影，刻蚀和清洗得到复合结构层中相变材料结构。
在所述的复合结构层上采用化学气相沉积沉积得到介质层。
在所述的介质层上沉积得到金属前置层，使用光刻工艺对金属前置层进行刻蚀得到金属结构层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津工业大学，未经天津工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910723670.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种太赫兹吸波薄膜的制备方法
- 下一篇：一种吸波结构
