[发明专利]一种高效单晶硅片切割工艺

权利要求书

1.一种高效单晶硅片切割工艺，其特征在于，利用切割机对单晶硅锭进行切片加工，具体包括以下步骤：

步骤1，对硅锭进行常规检查，清洁，备用；

步骤2，将清洁后硅锭固定在导轨上，再推入移动工作台内，确保硅锭导轨的V型槽在切割机中门的左侧，设定切割高度为160-170mm；

步骤3，在切割机的移动工作台的两侧分别放置放线轴和收线轴，同时，在放线轴和收线轴之间布好张力为7-7.5N的金刚线切割线网，所述金刚线切割线网为单层排线，减少金钢线磨损；

步骤4，采用双向走线的方式，对硅锭进行来回切割加工，刚开始切割时，控制送线距离/金刚线运行速度＞1mm/移动工作台运行速度，即保证从放线轴的滑轮上引出的金刚线刚触碰金刚线切割线网时，切割方向为从左向右切割，降低硅片TTV或进刀厚薄，当切割深度达到2%时，此时金刚线切割线网全为新线，切割力较强，通过增加设定移动工作台的运行速度，快速切割，降低金钢线磨损状况，当切割深度达到80%时，此时线网磨损较大，线弓较大，降低移动工作台的运行速度，拉平金刚线切割线网，保证切割过程耗时在90min以内；所述移动工作台的运行速度为0.2mm/min -3mm/min，金刚线的运行速度为10m/s-30m/s；金刚线的运行加速度8m/s²；

步骤5，下料，检查硅片切割状况，并将工作区切割的旧线移至收线轴。

2.根据权利要求1所述的一种高效单晶硅片切割工艺，其特征在于，步骤4中金刚线的运行速度在入刀阶段时为10m/s，在加工阶段至切割结束时为30m/s；整个过程均为双向走线，送线总长度大于返线总长度，当切割深度至80%时，送线总长度占切割结束后送线总长度的25%-35%。

3.根据权利要求1所述的一种高效单晶硅片切割工艺，其特征在于，步骤2中切割高度为165mm。

4.根据权利要求1所述的一种高效单晶硅片切割工艺，其特征在于，所述金刚线的线径为52μm。

5.根据权利要求1所述的一种高效单晶硅片切割工艺，其特征在于，所述滑轮为塑料滑轮。