[发明专利]无机半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910724595.8 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112349850A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张杨梅 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无机 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种无机半导体材料，其特征在于，包括：二氧化钛纳米材料和硫醇类化合物，所述硫醇类化合物通过巯基与所述二氧化钛纳米材料中的金属原子键合以结合在所述二氧化钛纳米材料的表面上。
2.根据权利要求1所述的无机半导体材料，其特征在于，所述硫醇类化合物的结构式为HS-R-SH，R为碳原子数量为1-13的烃基或烃基衍生物。
3.根据权利要求1所述的无机半导体材料，其特征在于，所述硫醇类化合物为乙二硫醇、丙二硫醇和丁二硫醇中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的无机半导体材料，其特征在于，所述二氧化钛纳米材料为水溶性纳米材料。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的无机半导体材料，其特征在于，所述无机半导体材料中，所述硫醇类化合物的硫和所述二氧化钛纳米材料的钛的摩尔比为(4-6):1。
6.一种无机半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供二氧化钛纳米材料、硫醇类化合物和醇，将所述二氧化钛纳米材料、所述硫醇类化合物和所述醇混合，进行加热反应，制备前驱体溶液；
将所述前驱体溶液进行固液分离处理，获得所述无机半导体材料。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述前驱体溶液中，所述硫醇类化合物的硫和所述二氧化钛纳米材料的钛的摩尔比为(4-6):1。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，进行加热反应的步骤中，反应温度为60-80℃，反应时间为2-4小时。
9.根据权利要求6至8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硫醇类化合物的结构式为HS-R-SH，R为碳原子数量为1-13的烃基或烃基衍生物。
10.根据权利要求6至8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述硫醇类化合物为乙二硫醇、丙二硫醇和丁二硫醇中的至少一种。
11.一种量子点发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层，以及设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层的材料包括：权利要求1至5任一项所述的无机半导体材料，或权利要求6至10任一项所述的制备方法制得的无机半导体材料。
12.根据权利要求11所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20-60nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
