[发明专利]一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法在审
| 申请号： | 201910724703.1 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110497544A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 王嘉;周炎 | 申请（专利权）人： | 江苏高照新能源发展有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00 |
| 代理公司： | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼高潮<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 212215 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 硅锭 金刚线 切割加工 走线 单晶硅片 切割过程 清洗机台 有效平衡 运行参数 走线方式 良品率 磨损度 取下 线网 正向 磨损 保证 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)清洗机台：清洗金刚线切割机的工作台，检查并清洁预处理的硅锭，设定切割高度；
步骤2)布置线网：在放线轴和收线轴之间布置好金刚线切割线网；
步骤3)设定运行参数：在切割过程中，所述工作台带动工件的运行速度为500～2300μm/min，所述金刚线的线速度为800～1380m/min；
步骤4)切割硅锭：先采用反向走线的方式，对所述硅锭进行切割加工，当切割高度达到设定高度的30％时，再采用正向走线的方式继续对硅锭进行切割加工，直至切割完成，取下硅锭。
2.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，其特征在于，步骤1)所述切割高度为164.5mm。
3.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，其特征在于，步骤2)所述放线轴和收线轴的丝杠的扭矩为85～90 N·m。
4.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，其特征在于，步骤2)所述金刚线的切割张力为7～9 N。
5.根据权利要求1所述的一种应用于超低TTV单晶硅片的切割方法，其特征在于，步骤2)所述金刚线的线径为55±2μm。
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