[发明专利]硅基微显示屏及其制备方法在审
| 申请号： | 201910724844.3 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110429122A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 杜晓松;杨小龙;周文斌;张峰;孙剑;高裕弟 | 申请（专利权）人： | 昆山梦显电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人： | 尹丽 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微显示屏 硅基板 硅基 制备 刻蚀工艺 保护层 薄膜封装层 黄光工艺 阳极层 阴极层 刻蚀 空洞 使用寿命 水汽 保护膜 侧壁 蒸镀 氧气 入侵 暴露 覆盖 | ||
1.一种硅基微显示屏制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：提供一硅基板，在所述硅基板上制备阳极层；
S2：在所述硅基板和阳极层上依次蒸镀OLED层、阴极层及保护层；
S3：采用黄光工艺及刻蚀工艺在所述阴极层及保护层形成空洞；
S4：采用Bosch刻蚀工艺刻蚀所述空洞下暴露的OLED层，并在刻蚀后的OLED层的侧壁形成保护膜；
S5：形成薄膜封装层，所述薄膜封装层覆盖所述保护层及所述硅基板。
2.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括如下步骤：
S11：提供一硅基板，在所述硅基板上制备若干规则排列的过孔；
S12：采用自对准工艺，在所述硅基板上蒸镀阳极层，所述阳极层包括与所述过孔一一对应的阳极单元。
3.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述步骤S3中的刻蚀工艺及步骤S4在真空环境下进行。
4.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述黄光工艺的工艺温度低于90℃。
5.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述步骤S3中的刻蚀工艺为反应离子刻蚀工艺。
6.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述步骤S4中的保护膜为氟化碳高分子聚合物。
7.根据权利要求2所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述阳极单元的宽度为5微米。
8.根据权利要求1所述的硅基微显示屏制备方法，其特征在于，所述OLED层包括有机发光层、位于阳极层与有机发光层之间的空穴注入层和空穴传输层以及位于阴极层与有机发光层之间的电子注入层和电子传输层。
9.一种硅基微显示屏，包括依次设置的硅基板、阳极层、OLED层、阴极层、保护层及完全覆盖所述保护层及所述硅基板的薄膜封装层，其特征在于，所述OLED层的侧壁设有保护膜。
10.根据权利要求9所述的硅基微显示屏，其特征在于，所述保护膜为氟化碳高分子聚合物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
