[发明专利]用于后制作通孔的贯通孔的方法和装置

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括：

在载具晶圆中形成至少一个通孔，其中，所述载具晶圆包括彼此相对的第一侧和第二侧，并且所述通孔包括分别位于所述第一侧和所述第二侧的第一端和第二端；

用氧化物填充所述至少一个通孔；

将所述载具晶圆安装至第二晶圆，使得所述载具晶圆的第二侧接合所述第二晶圆；

穿过填充所述至少一个通孔的所述氧化物蚀刻贯通孔，以形成氧化物贯通孔，其中，所述氧化物贯通孔包括与所述第一端重合的第三端和位于所述第二晶圆中的第四端，所述第一端的宽度与所述第三端的宽度相同，并且所述第二端的宽度大于所述第一端、所述第三端和所述第四端的宽度；以及

用导体填充所述氧化物贯通孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物是高密度等离子体(HDP)氧化物。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括减薄所述载具晶圆。

4.根据权利要求3所述的方法，在减薄步骤之前，所述至少一个通孔从所述载具晶圆的第一表面延伸到所述载具晶圆中但没有延伸至所述载具晶圆的第二表面。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二晶圆包括图像传感器。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二晶圆包括导电互连件，并且其中所述氧化物贯通孔进一步延伸以暴露所述导电互连件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述导体填充所述氧化物贯通孔并与所述导电互连件电连接。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述导体包括铜。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括形成位于所述载具晶圆上方并与所述导体电接触的外部端子。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导体包括铜。

11.一种制造半导体装置的方法，包括：

提供具有正面和相对的背面的有源器件晶圆，所述正面包括设置在介电层中的导电互连材料；

提供具有填充有氧化物的贯通孔的载具晶圆，所述贯通孔从所述载具晶圆的第一表面延伸至所述载具晶圆的第二表面，所述贯通孔包括分别位于所述第一表面和所述第二表面的第一端和第二端；

将所述载具晶圆的所述第二表面接合至所述有源器件晶圆的所述正面；

减薄所述载具晶圆的所述第一表面；

蚀刻所述贯通孔中的氧化物以形成从所述载具晶圆的所述第一表面延伸到所述有源器件晶圆的所述介电层中的氧化物贯通孔，以暴露所述介电层中的所述导电互连材料的一部分，其中，所述氧化物贯通孔包括与所述第一端重合的第三端和位于所述有源器件晶圆中的第四端，所述第一端的宽度与所述第三端的宽度相同，并且所述第二端的宽度大于所述第一端、所述第三端和所述第四端的宽度；以及

在所述氧化物贯通孔内沉积导体材料以形成与所述导电互连材料电接触的导体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述有源器件晶圆还包括CMOS图像传感器。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述CMOS图像传感器是背照式CMOS图像传感器。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，沉积所述导体材料进一步包括沉积铜。

15.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在所述载具晶圆的所述第二表面上沉积所述导体材料；

图案化所述载具晶圆的所述第二表面上的所述导体材料以形成与所述氧化物贯通孔中的所述导体材料连接的导线；以及

形成与所述导线连接的外部连接件。