[发明专利]具有远红外光的植物生长光照装置及其控制方法

权利要求书

1.一种具有远红外光的植物生长光照装置，其特征在于，

包括控制部和发光部，其中，

所述发光部包括第一光源部和第二光源部，所述第一光源部发出红光和蓝光，所述第二光源部发出远红外光，

所述控制部对所述第一光源部和所述第二光源部分别进行控制。

2.根据权利要求1所述的具有远红外光的植物生长光照装置，其特征在于，

所述第一光源部所发出的蓝光成分在波长400～480nm的范围内拥有发光峰，从而与叶绿素的蓝光域吸收峰相对应，

所述第一光源部所发出的红光成分的波长在600～700nm的范围，

所述第一光源部所发出的600nm～700nm的范围内的光量子流密度R与400nm～490nm的范围内的光量子流密度B之比为4～10；所述第一光源部所发出的600nm～700nm的范围内的光量子流密度R与所述第二光源部所发出的700nm～750nm的范围内的光量子流密度FR的比值3～8。

3.根据权利要求1所述的具有远红外光的植物生长光照装置，其特征在于，

所述第一光源部包括固体发光芯片和设置在所述固体发光芯片的外侧的包覆层，所述包覆层含有能够吸收所述固体发光芯片射出的激发光而转换发出红光的红光荧光粉，从而通过固体发光芯片来实现主波长为红光和蓝光的光源；

所述第二光源部包括固体发光芯片和设置在所述固体发光芯片的外侧的包覆层，所述包覆层含有能够吸收所述固体发光芯片射出的激发光而转换发出远红外光的远红外光荧光粉；或者固体发光芯片为发射远红外光的GaAs/GaAs、AlGaAs/GaAs、AlGaAs/AlGaAs基芯片。

4.根据权利要求1所述的具有远红外光的植物生长光照装置，其特征在于，

还包括第三光源部，所述第三光源部包括固体发光芯片和设置在所述固体发光芯片的外侧的包覆层，所述包覆层含有能够吸收所述固体发光芯片射出的激发光而转换发出白光的黄光和/或绿光荧光粉。

5.根据权利要求4所述的具有远红外光的植物生长光照装置，其特征在于，

还包括定时器，所述定时器设定使所述第一光源部、第二光源部和第三光源部进行照射动作的时间段，所述控制部根据所述定时器设置的时间段控制所述第一光源部、第二光源部和第三光源部，其中，该定时器被设定为：所述第一光源部和第二光源部以10-16h的累计辐射照度时间进行照射。

6.根据权利要求1所述的具有远红外光的植物生长光照装置，其特征在于，

通过调整电流的PWM波形和占空比来调节所述第一光源部的光量子流密度和所述第二光源部的光量子流密度。

7.根据权利要求1所述的具有远红外光的植物生长光照装置，其特征在于，

所述第一光源部的红光和蓝光的光量子流密度比例是固定的；

通过调节所述第一光源部和第二光源部的比例调节红光、蓝光和远红外光的光量子流密度比例；

通过变化第三光源部的数量和色温，调整适宜植物生长光照装置的光谱比例。

8.根据权利要求5所述的具有远红外光的植物生长光照装置，其特征在于，

所述第三光源部的黄绿光的光量子流密度不超过所述光照装置的所述第一光源部和所述第二光源部总有效光量子流密度的30％。

9.根据权利要求5所述的具有远红外光的植物生长光照装置，其特征在于，

所述第三光源部的色温是2000-10000K，在所辐射的植物冠层的光照强度是在100lux以上；

并且通过选择不同色温和数量的所述第三光源部的白光固体发光光源，调整所述植物生长光照装置的红光、蓝光和远红外光在整体有效光量子流密度的比例。