[发明专利]基于磁路耦合的非接触式超导磁体主动释能装置及方法

权利要求书

1.一种基于磁路耦合的非接触式超导磁体主动释能装置，其特征在于，包括：超导磁体回路、耦合释能回路；

所述超导磁体回路包括：超导磁体；

所述耦合释能回路包括：金属耦合层；

所述金属耦合层紧靠所述超导磁体；

还包括：外筒；

金属耦合层制成冷屏；

所述冷屏包括以下任一种或者任多种结构：

-内侧冷屏结构；

-外侧冷屏结构；

所述冷屏设置于外筒与超导磁体之间，或者

所述内侧冷屏结构设置于超导磁体内侧，所述外侧冷屏结构设置于超导磁体外侧；

还包括：制冷机；

制冷机包括：一级冷头、二级冷头；

冷屏与制冷机的一级冷头相连，超导磁体与制冷机的二级冷头相连；

金属耦合层内部设置有内部空腔；

所述内部空腔设置于内侧冷屏结构的内侧；

所述内部空腔充有易激发为等离子体的气体；金属耦合层作为超导磁体支撑骨架；

超导磁体支撑骨架包括：内骨架。

2.根据权利要求1所述的基于磁路耦合的非接触式超导磁体主动释能装置，其特征在于，

内骨架上下两侧设置有上侧夹板、下侧夹板；

所述上侧夹板、下侧夹以及内骨架形成特定包围程度的骨架结构。

3.根据权利要求2所述的基于磁路耦合的非接触式超导磁体主动释能装置，其特征在于，所述超导磁体支撑骨架还包括：外骨架；

所述外骨架、上侧夹板、下侧夹以及内骨架形成全包围程度的骨架结构。

4.根据权利要求1所述的基于磁路耦合的非接触式超导磁体主动释能装置，其特征在于，所述外筒为低温杜瓦外筒；

所述超导磁体包括：超导线圈；

所述超导线圈设置于稳定冷却装置；

稳定冷却装置能够提供稳定冷却环境。

5.一种基于磁路耦合的非接触式超导磁体主动释能方法，其特征在于，采用权利要求1-4任一项所述的基于磁路耦合的非接触式超导磁体主动释能装置，包括：

步骤1：设置一次回路，超导磁体发生失超或进行主动去磁，线圈部分带材由超导态变为常阻态，一次侧回路出现电阻，一次侧回路电流下降，引起磁通变化；

步骤2：将与超导磁体磁路耦合的外部金属耦合层设置为二次回路，二次回路自动感应出电流，将超导磁体内的部分磁能通过二次回路的电阻耗散。