[发明专利]三相八柱式磁控型可控电抗器的建模方法及仿真模型

权利要求书

1.一种三相八柱式磁控型可控电抗器的建模方法，其特征在于，包括：

将两个单相三绕组变压器的仿真模型串联组合，构成单相四柱式磁控型可控电抗器的仿真模型；

基于三个所述单相四柱式磁控型可控电抗器的仿真模型，构成三相八柱式磁控型可控电抗器的仿真模型，完成三相八柱式磁控型可控电抗器的建模；

所述将两个单相三绕组变压器的仿真模型串联组合，构成单相四柱式磁控型可控电抗器的仿真模型，具体包括以下步骤：

获取第一单相三绕组变压器仿真模型和第二单相三绕组变压器仿真模型；

将二者的第一绕组正向串联起来构成网侧绕组；

将二者的第二绕组反向串联起来构成控制侧绕组；

将二者的第三绕组正向串联起来构成补偿侧绕组，形成单相四柱式可控电抗器的仿真模型。

2.根据权利要求1所述的一种三相八柱式磁控型可控电抗器的建模方法，其特征在于：所述第一单相三绕组变压器仿真模型和第二单相三绕组变压器仿真模型结构相同，第一绕组电阻值为r_a/2，漏感为L_σ/2；第二绕组电阻值为r_d/2，漏感为L_σd/2；第三绕组电阻值为r_b/2，漏感为L_σb/2，其中，r_a为单相四柱式可控电抗器网侧两个并联绕组的总的电阻，L_σ为单相四柱式可控电抗器网侧两个并联绕组的总的漏抗；r_b为单相四柱式可控电抗器补偿绕组总的电阻，L_σb为单相四柱式可控电抗器补偿绕组总的漏抗；r_d为单相四柱式可控电抗器控制绕组总的电阻，L_σd为单相四柱式可控电抗器控制绕组总的漏抗。

3.根据权利要求1所述的一种三相八柱式磁控型可控电抗器的建模方法，其特征在于：所述网侧绕组的电压为：

式中，r_a为网侧两个并联绕组的总的电阻，L_σ为网侧两个并联绕组的总的漏抗；i_a为两个并联绕组总的电流，N₁和N₂分别为两个绕组的线圈匝数，且N₁＝N₂；Φ₁和Φ₂分别为左边芯柱磁通和右边芯柱磁通。

4.根据权利要求1所述的一种三相八柱式磁控型可控电抗器的建模方法，其特征在于：所述补偿侧绕组两端的电压为：

式中，r_b为补偿绕组总的电阻，L_σb为补偿绕组总的漏抗，i_b为补偿绕组总的电流，N_b为补偿绕组的线圈匝数，Φ₁和Φ₂分别为左边芯柱磁通和右边芯柱磁通。

5.根据权利要求1所述的一种三相八柱式磁控型可控电抗器的建模方法，其特征在于：所述控制侧绕组两端的电压为：

式中，r_d为控制绕组总的电阻，L_σd为控制绕组总的漏抗，i_d为控制绕组总的电流，N_d为左边芯柱和右边芯柱的线圈匝数，Φ₁和Φ₂分别为左边芯柱磁通和右边芯柱磁通。

6.一种三相八柱式磁控型可控电抗器的仿真模型，其特征在于，包括三个相连的单相四柱式可控电抗器的仿真模型，所述单相四柱式可控电抗器的仿真模型由两个单相三绕组变压器的仿真模型串联组合而成；

所述单相四柱式可控电抗器的仿真模型中包括第一单相三绕组变压器仿真模型和第二单相三绕组变压器仿真模型；

所述第一单相三绕组变压器仿真模型和第二单相三绕组变压器仿真模型的第一绕组正向串联，构成网侧绕组；

第一单相三绕组变压器仿真模型和第二单相三绕组变压器仿真模型的第二绕组反向串联，构成控制侧绕组；

第一单相三绕组变压器仿真模型和第二单相三绕组变压器仿真模型的第三绕组正向串联，构成补偿侧绕组。