[发明专利]一种具有恢复特性的复合二极管结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有恢复特性的复合二极管结构，包括N+衬底(109)，位于N+衬底(109)背面的金属化阴极(108)和位于N+衬底(109)正面的N型外延层(100)；其特征在于：所述N型外延层(100)上设置有一组向N型外延层(100)内延伸的P区(103)，所述P区(103)在N型外延层(100)上均匀分布；相邻P区(103)之间的N型外延层(100)表面设置有一层采用等离子体轰击方式形成的缺陷层(105)，所述P区(103)和缺陷层(105)上设置有一层肖特基势垒金属(106)，所述肖特基势垒金属(106)与N型外延层(100)上的缺陷层(105)间设置有肖特基势垒结(111)，肖特基势垒金属(106)上设置有金属化阳极(107)。

2.如权利要求1所述的具有恢复特性的复合二极管结构，其特征在于：所述具有恢复特性的复合二极管结构包括中间的有源区(1)和位于有源区(1)四周的终端区(2)，所述P区(103)设置在有源区(1)内。

3.如权利要求1所述的具有恢复特性的复合二极管结构，其特征在于：所述P区(103)的表面也设置有一层采用等离子体轰击方式形成的缺陷层(105)。

4.如权利要求1所述的具有恢复特性的复合二极管结构，其特征在于：所述肖特基势垒金属(106)采用的材料为铝、镍或镍铂，所述金属化阳极(107)可以与肖特基势垒金属(106)为相同金属，也可以采用其他金属。

5.一种具有恢复特性的复合二极管制造方法，其特征在于：

包括以下步骤：1)在N型外延层(100)的表面通过热氧化或者化学气相淀积工艺形成绝缘介质层(101)；

2)通过光刻和湿法刻蚀工艺，在有源区(1)的绝缘介质层(101)上选择刻蚀出一组均匀分布又相互间隔的掺杂窗口(102)；

3)采用离子注入工艺通过掺杂窗口(102)进行P型杂质掺杂，再通过热处理工艺进行处理，从而在N型外延层(100)上形成一组向N型外延层(100)内延伸的P区(103)，同时，热处理工艺还在P区(103)表面生长一层与绝缘介质层(101)相同或者不同的P区绝缘介质层(110)；

4)通过光刻和湿法刻蚀工艺去除有源区(1)中P区(103)上的P区绝缘介质层(110)和相邻P区(103)之间N型外延层(100)上的绝缘介质层(101)，从而在芯片上形成金属接触孔(104)；

5)采用等离子体轰击方式刻蚀接触孔(104)，在有源区(1)的P区(103)和相邻P区(103)之间的N型外延层(100)表面形成缺陷层(105)；或在有源区(1)相邻P区(103)之间的N型外延层(100)表面形成缺陷层(105)；

6)在缺陷层(105)上通过溅射或者蒸发工艺淀积一层铝、镍、或者镍铂合金作为肖特基势垒金属(106)，并通过热处理使肖特基势垒金属(106)与N型外延层(100)上方的缺陷层(105)的上侧部分进行合金形成肖特基势垒结(111)，肖特基势垒结的下侧保留一部分缺陷层(105)；

7)在芯片表面蒸发铝、钛、镍或银金属形成金属化阳极(107)；

8)在N+衬底(109)相对于N型外延层(100)的另一面通过溅射或者蒸发钛镍银、镍银或者钛镍钒银金属，形成金属化阴极(108)。