[发明专利]等离子体生成装置，包括该装置的基板处理装置，以及等离子体生成装置的控制方法

说明书

一种基板处理装置包括：腔室，腔室中具有在其中处理基板的空间；支承腔室中的基板的支承单元；将气体供应到腔室中的气体供应单元；以及将腔室中的气体激发至等离子体状态的等离子体生成单元。等离子体生成单元包括：高频电源；连接至高频电源的一端的第一天线；与第一天线并联连接的第二天线；以及将电流分配至第一天线和第二天线的分流器。分流器包括：设置在第一天线和第二天线之间的第一电容器；与第二天线并联连接的第二电容器；以及与第二天线串联连接的第三电容器。第二电容器和第三电容器用可变电容器来实施。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月7日提交韩国工业产权局、申请号为10-2018-0091736的韩国专利申请以及于2019年3月28日提交韩国工业产权局、申请号为10-2019-0035804的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文中所述的本发明构思的实施方案涉及等离子体生成装置、包括该装置的基板处理装置、以及等离子体生成装置的控制方法，更具体地，涉及用于使用多个天线生成等离子体的等离子体生成装置、包括该等离子体生成装置的基板处理装置、以及该等离子体生成装置的控制方法。

背景技术

半导体制造工艺可包括使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体制造工艺中，蚀刻工艺可以使用等离子体去除基板上的薄膜。

为了在基板处理工艺中使用等离子体，在工艺腔室中安装用于生成等离子体的等离子体生成单元。根据生成等离子体的方法，等离子体生成单元大致分为电容耦合等离子体(CCP)型源和电感耦合等离子体(ICP)型源。CCP型源将射频(RF)信号施加至设置在腔室中以彼此相对的两个电极中的一个或两个，并在腔室中生成电场，从而生成等离子体。ICP型源将RF信号施加至安装在腔室中的一个或多个线圈，并在腔室中感应出电磁场，从而生成等离子体。

在腔室具有安装在其中的两个或多个线圈并且所述两个或多个线圈从一个RF电源接收电力的情况下，分流器可设置在RF电源和线圈之间，并且可以通过控制分流器在基板的整个区域上执行蚀刻工艺。然而，在使用分流器执行蚀刻工艺的情况下，由于腔室中等离子体密度的不平衡，基板的中心区域和边缘区域之间的蚀刻速率可能存在差别。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于在基板的整个区域上以均匀的蚀刻速率执行蚀刻工艺的等离子体生成装置、包括该等离子体生成装置的基板处理装置、以及该等离子体生成装置的控制方法。

本发明构思所要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从本说明书和附图清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

根据示例性实施方案，用于处理基板的装置包括：腔室，所述腔室中具有在其中处理基板的空间；支承腔室中的基板的支承单元；将气体供应到腔室中的气体供应单元；以及将腔室中的气体激发至等离子体状态的等离子体生成单元。等离子体生成单元包括：高频电源；连接至高频电源的一端的第一天线；与第一天线并联连接的第二天线；以及将电流分配至第一天线和第二天线的分流器。分流器包括：设置在第一天线和第二天线之间的第一电容器；与第二天线并联连接的第二电容器；以及与第二天线串联连接的第三电容器。第二电容器和第三电容器用可变电容器来实施。

第一电容器可用恒定电容器来实施，并且分流器可设置在高频电源与第一和第二天线之间。

分流器可通过调整第二电容器和第三电容器的电容来将电流分配至第一天线和第二天线。

分流器可通过调整第二电容器的电容来调整第二天线的谐振。

分流器可通过调整第三电容器的电容来控制流过第一天线和第二天线的电流的电流比。