[发明专利]背面研磨带在审
| 申请号： | 201910725933.X | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110819249A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 龟井胜利;佐佐木贵俊 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/29 | 分类号： | C09J7/29;C09J7/24;B24D11/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 研磨 | ||
【权利要求书】：
1.一种背面研磨带，其依次具备粘合剂层、中间层和第1基材，
构成该中间层的材料为具有羧基且未交联的丙烯酸类树脂，
将该粘合剂层粘贴在Si镜面晶圆上时的初始粘合力为1N/20mm～30N/20mm。
2.根据权利要求1所述的背面研磨带，其还具备第2基材，
该第2基材配置在所述第1基材的与中间层相反的一侧。
3.根据权利要求1或2所述的背面研磨带，其中，所述第1基材由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成。
4.根据权利要求2所述的背面研磨带，其中，所述第2基材由聚烯烃类树脂构成。
5.根据权利要求1或2所述的背面研磨带，其中，所述粘合剂层的厚度为1μm～50μm。
6.根据权利要求1或2所述的背面研磨带，其中，所述中间层的厚度为5μm～50μm。
7.根据权利要求1或2所述的背面研磨带，其中，所述丙烯酸类树脂具有来源于含羧基单体的构成单元，
该来源于含羧基单体的构成单元的含有比例相对于该丙烯酸类树脂100重量份为2重量份～30重量份。
8.根据权利要求1或2所述的背面研磨带，其在对经隐形切割的半导体晶圆进行背面研磨时使用。
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