[发明专利]一种耐烧蚀C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法有效
申请号: | 201910725957.5 | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN110423119B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 裴雨辰;于艺;于新民;刘俊鹏;宋环君;金鑫;张宝鹏;刘伟;王鹏;李晓东 | 申请(专利权)人: | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
主分类号: | C04B35/571 | 分类号: | C04B35/571;C04B35/80;C04B35/622 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐烧蚀 sic 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
1.一种耐烧蚀C/SiC陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)提供多孔C/C复合材料预制体;
(2)将所述预制体制备成密度为1.8~2.0 g/cm3的C/SiC复合材料;
(3)将聚硅氮烷、硼粉和溶剂混合,聚硅氮烷在混合物中的质量百分含量为30-40%,硼粉在混合物中的质量百分含量为10-30%,将混合物搅拌均匀,得到SiBCN前驱体溶液;
(4)采用SiBCN前驱体溶液对所述复合材料进行浸渍固化裂解,得到所述耐烧蚀C/SiC陶瓷基复合材料; 所述浸渍为真空浸渍,真空度为-0.1~-0.3MPa,浸渍液没过工件至少10mm,浸渍时间50~60min;在120-180℃并且空气或惰性气氛下进行固化;在1400℃以下并且氨气气氛下进行裂解;重复所述浸渍、所述固化和所述裂解步骤,使材料的增重不超过1%。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
所述硼粉的质量百分含量为20%。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
在步骤(3)中,所述溶剂选自氯仿、四氯化碳、丙酮、乙酸乙酯、四氢呋喃、甲苯、二甲苯、二甲基亚砜、氯苯、二氯苯或三氯苯中的任一种或多种。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
提供密度为0.8~1.0 g/cm3的多孔C/C复合材料预制体。
5.根据权利要求1至4任一项所述的制备方法,其特征在于,
在步骤(2)中,采用聚碳硅烷溶液进行先驱体浸渍、固化、裂解,制备得到C/SiC复合材料;
若进行一次所述浸渍、固化和裂解工序无法达到密度要求,
则重复所述浸渍、固化和裂解工序,直至达到密度要求。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,
采用化学气相渗透法在碳纤维预制体的内部沉积碳,得到所述多孔C/C复合材料预制体。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,
所述碳纤维预制体采用针刺叠层无纬布毡。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,
所述碳纤维预制体采用密度为0.4-0.5g/cm3的针刺叠层无纬布毡。
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