[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，所述薄膜体声波谐振器包括空腔和位于空腔上的有效谐振区，其特征在于，所述方法包括：

提供第一衬底；

在所述第一衬底上形成压电叠层结构，所述压电叠层结构包括依次叠层的第二电极层、压电层和第一电极层；

图形化所述第一电极层，以形成第一电极，使位于所述有效谐振区中的第一电极的部分边缘截止于所述空腔上方；

形成第一电极后，在所述压电叠层结构上形成支撑层；

在所述支撑层中形成贯穿所述支撑层的空腔；

在所述支撑层上键合第二衬底，所述第二衬底遮盖所述空腔；

键合所述第二衬底后，去除所述第一衬底；

图形化所述第二电极层，以形成第二电极，使位于所述有效谐振区中的第二电极的部分边缘截止于所述空腔上方，所述有效谐振区以外的所述第一电极和所述第二电极在垂直于所述压电层方向上无重叠的区域。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，图形化所述第一电极层或图形化所述第二电极层的方法包括干法刻蚀或湿法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述支撑层与所述第二衬底的键合方法包括热压键合或干膜粘合。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，位于所述空腔的上方的所述压电层的边界与所述有效谐振区的边界重合或超出所述有效谐振区的边界。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，在形成所述第二电极层之前还包括在所述第一衬底上形成介质层。

6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述介质层的材质包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，通过腐蚀所述介质层，去除所述第一衬底。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一衬底可以通过蚀刻或机械研磨的方法去除。

9.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，在形成所述第一电极后，形成所述支撑层之前，还包括，在所述第一电极边缘暴露出所述压电层的区域形成贯穿所述压电层的第一凹槽。

10.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一凹槽的侧壁与所述第二电极层所在的平面的倾角大于90度。

11.根据权利要求9所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，形成所述第一凹槽的方法包括干法刻蚀。

12.根据权利要求11所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，通过调整所述干法刻蚀的程式使光刻胶软化形成斜坡，以使所述第一凹槽的侧壁与所述第二电极层所在的平面的倾角大于90度。

13.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，在形成所述第二电极后，还包括，在所述空腔上方的所述第二电极边缘暴露出的所述压电层中形成贯穿所述压电层的第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽围成的区域包括所述有效谐振区。

14.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，形成所述第二电极后，还包括：

形成钝化层，所述钝化层至少覆盖所述第一电极、所述压电层和所述第二电极。

15.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述有效谐振区的横截面为多边形，所述多边形的任意两条边不平行。