[发明专利]一种产生多重表面晶格共振的结构及其应用有效
| 申请号： | 201910726541.5 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN110412668B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 刘绍鼎;刘杰;岳鹏;董红霞;胡红刚;耿伟;贾卓楠;刘钧妍;栗正华 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;H01S5/30 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 李杰梅 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 产生 多重 表面 晶格 共振 结构 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种产生多重表面晶格共振的结构在表面等离激元激光器芯片方面的应用，其特征在于，所述产生多重表面晶格共振的结构包括多个等离激元分子，多个所述等离激元分子有序排列成阵 列结构，所述等离激元分子是由纳米金或纳米银单元结构构成的聚合体；所述聚合体为四聚体或五聚体；
所述四聚体C2V分子由四个金纳米盘构成，其中两个小金纳米盘半径均为r=70nm，两个大金纳米盘半径均R=90nm，s1=170nm，s2=240nm，s3=240nm，大、小金纳米盘厚度均为h=50nm；其中，s1为两个小金纳米盘中心距离，s2为两个大金纳米盘中心距离，s3为位于同一侧小金纳米盘与大金纳米盘中心距离；
所述五聚体D2h分子点群由五个金纳米盘构成，其中四个小金纳米盘大小相同，设置大金纳米盘半径R=120nm，小金纳米盘半径r=60nm，s1=200nm，s2=360nm，金纳米盘厚度均为h=50nm；其中，s1为相邻的两个小金纳米盘中心距离，s2为位于大金纳米盘同一侧并远离的两个小金纳米盘中心距离。
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