[发明专利]一种提高实时时钟芯片时间数据可靠性的方法在审
申请号: | 201910726704.X | 申请日: | 2019-08-07 |
公开(公告)号: | CN110427070A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 陈定文 | 申请(专利权)人: | 深圳市兴威帆电子技术有限公司 |
主分类号: | G06F1/14 | 分类号: | G06F1/14 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 孟学英 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 实时时钟芯片 时间数据 数据写 写入 实时时钟数据 数据写入功能 抗干扰能力 静态RAM 加锁 芯片 | ||
1.一种提高实时时钟芯片时间数据可靠性的方法,其特征在于,写入RAM数据包括如下步骤:
S1:打开数据写保护位;
S2:写入所述RAM数据;
S3:写完所述RAM数据后,关闭所述数据写保护位。
2.如权利要求1所述的提高实时时钟芯片时间数据可靠性的方法,其特征在于,所述数据写保护位至少是三个。
3.如权利要求2所述的提高实时时钟芯片时间数据可靠性的方法,其特征在于,所述数据写保护位是三个,分别为WRTC1保护位、WRTC2保护位、WRTC3保护位。
4.如权利要求3所述的提高实时时钟芯片时间数据可靠性的方法,其特征在于,所述WRTC2保护位、WRTC3保护位受WRTC1保护位的保护,所述WRTC1保护位存放在第一地址;所述WRTC2保护位和所述WRTC3保护位存放在第二地址。
5.如权利要求3所述的提高实时时钟芯片时间数据可靠性的方法,其特征在于,所述WRTC2保护位和所述WRTC3保护位存放在所述WRTC1保护位的上一个地址。
6.如权利要求1所述的提高实时时钟芯片时间数据可靠性的方法,其特征在于,所述实时时钟芯片包括:寄存器10H、寄存器0FH,以及WRTC1保护位、WRTC2保护位、WRTC3保护位。
7.如权利要求6所述的提高实时时钟芯片时间数据可靠性的方法,其特征在于,先将所述寄存器10H的所述WRTC1保护位设置为1,然后再将所述寄存器0FH地址的所述WRTC2保护位、所述WRTC3保护位位设置为1,则打开所述数据写保护位。
8.如权利要求7所述的提高实时时钟芯片时间数据可靠性的方法,其特征在于,先将所述寄存器0FH地址的所述WRTC2保护位、所述WRTC3保护位位设置为0,再将所述寄存器10H的所述WRTC1保护位设置为0,则关闭所述数据写保护位。
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