[发明专利]一种高线性可变增益放大器在审

专利信息
申请号: 201910727320.X 申请日: 2019-08-07
公开(公告)号: CN110504933A 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 李翔宇;胡建平 申请(专利权)人: 宁波大学
主分类号: H03G3/30 分类号: H03G3/30;H03F3/45
代理公司: 23206 哈尔滨龙科专利代理有限公司 代理人: 高媛<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 315211 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 可变增益放大器 共源共栅晶体管 时间增益补偿 差分晶体管 负载电流源 负载晶体管 增益放大器 电压增益 输出阻抗 传统的 高线性 高增益 单级 功耗 运放
【权利要求书】:

1.一种可变增益放大器,其特征在于所述增益放大器包括输入PMOS差分晶体管MP1和MP2,负载电流源IL1、IL2和IR,负载晶体管MP3、MP4、MP5和MP6,共源共栅晶体管MN1、MN2、MN3和MN4,其中:

所述负载电流源IL1的一端接电源VCC,另一端接输入PMOS差分晶体管MP1的源极,同时接输入PMOS差分晶体管MP2的源极;

所述输入PMOS差分晶体管MP1的栅极接输入信号Vip,漏极接共源共栅晶体管MN1的源极,同时接共源共栅晶体管MN3的漏极;

所述输入PMOS差分晶体管MP2的栅极接输入信号Vin,漏极接共源共栅晶体管MN2的源极,同时接共源共栅晶体管MN4的漏极;

所述共源共栅晶体管MN3的源极接地,栅极同共源共栅晶体管MN4的栅极相连,同时与共源共栅晶体管MN1的漏极、负载晶体管MP3的栅极和漏极、负载晶体管MP4的漏极和MP5的栅极相连;

所述共源共栅晶体管MN4的源极接地,漏极同共源共栅晶体管MN2的源极相连;

所述共源共栅晶体管MN1的栅极与共源共栅晶体管MN2的栅极相连,同时接偏置电压Vb;

所述共源共栅晶体管MN2的漏极接输出Vout,同时与负载晶体管MP6的栅极和漏极、负载晶体管MP5的漏极和MP4的栅极相连;

所述负载晶体管MP3的源极同负载晶体管MP6的源极相连,同时与负载电流源IR的一端相连;

所述负载电流源IR的另一端接电源VCC;

所述负载晶体管MP4的源极同负载晶体管MP5的源极相连,同时与负载电流源IL2的一端相连;

所述负载电流源IL2的另一端接电源VCC。

2.根据权利要求1所述的可变增益放大器,其特征在于所述负载电流源IR为固定电流值的电流源。

3.根据权利要求1所述的可变增益放大器,其特征在于所述负载电流源IL1和IL2均为可变电流值的电流源。

4.根据权利要求1所述的可变增益放大器,其特征在于所述负载晶体管MP3、MP4、MP5和MP6的宽长比相等。

5.根据权利要求1所述的可变增益放大器,其特征在于所述增益放大器的增益表示为:

式中,gmp1为输入管的跨导,gmp3为负载晶体管MP3的跨导,gmp4为负载晶体管MP4的跨导,Win为输入管的栅宽,Wout为输出晶体管的栅宽,IL=IL1=IL2

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