[发明专利]一种三独立栅FinFET器件

说明书

本发明公开勒一种三独立栅FinFET器件，包括衬底、绝缘层、源极、沟道、漏极、背栅电极、前栅电极、顶栅电极、第一栅氧化层、第二栅氧化层和第三栅氧化层，衬底和绝缘层均为长方体结构，源极、沟道和漏极按照从右到左的顺序依次设置在绝缘层上表面，源极、沟道和漏极分别采用T型结构实现；优点是可以代替原本复杂的“与或非”门结构，采用该三独立栅FinFET器件实现具有三输入多数功能的逻辑电路时，只需要采用一个N型三独立栅FinFET器件和P型三独立栅FinFET器件，由此可以使具有三输入多数功能的逻辑电路采用的晶体管数量较少，结构简单，硬件消耗面积减少，功耗较低，延迟较小。

技术领域

本发明涉及一种FinFET器件，尤其是涉及一种三独立栅FinFET器件。

背景技术

FinFET器件(鳍式场效晶体管，Fin Field-Effect Transistor)是一种新型互补式金氧半导体晶体管。FinFET器件的沟道采用零掺杂或是低掺杂，其沟道被栅三面包围，这种特殊的三维立体结构，增强了栅对沟道的控制力度，极大的抑制了短沟道效应，从而抑制了FinFET器件的漏电流。由于FinFET器件可以用前栅和背栅来控制电路的接通和断开，因此当前FinFET器件可以分为同栅FinFET器件和分栅FinFET器件。

在数字电路设计领域中，具有三输入多数功能的逻辑电路作为一种基本逻辑电路，应用在很多数字电路系统中。具有三输入多数功能的逻辑电路的实现原理为：当该电路的三个输入中有两个或者两个以上为高电平时，该电路导通，否则，该电路关断。

现有的具有三输入多数功能的逻辑电路的核心器件主要通过“与或非”等门电路结合FinFET器件来实现。但是不管是采用现有的分栅FinFET器件还是采用现有的同栅FinFET器件，其数量都需要至少两对(一对FinFET器件包括一个N型FinFET器件和一个p 型FinFET器件)。由此导致具有三输入多数功能的逻辑电路采用晶体管数量较多，结构复杂，硬件消耗面积大，功耗高，延迟大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种三独立栅FinFET器件，采用该三独立栅FinFET器件实现具有三输入多数功能的逻辑电路时，只需要采用一个N型三独立栅 FinFET器件和P型三独立栅FinFET器件，由此可以使具有三输入多数功能的逻辑电路采用的晶体管数量较少，结构简单，硬件消耗面积减少，功耗较低，延迟较小。