[发明专利]一种高压MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种高压MOSFET驱动电路，包括MOSFET模块、MOSFET驱动模块，其特征在于，还包括：光耦模块、LDO模块；

所述MOSFET模块与MOSFET驱动模块连接；所述光耦模块与LDO模块连接，且二者均与MOSFET驱动模块连接；其中：

所述光耦模块包括：第一电阻、第二电阻、光耦；

所述第一电阻的第一端与输入高电压Vin连接，第一电阻的第二端与光耦的第四端连接，第二电阻的第一端与控制电源Vcc连接，第二电阻的第二端与光耦的第一端连接，光耦的第二端输入脉冲控制TTL电平，光耦的第三端分别与MOSFET驱动模块和LDO模块连接；

所述LDO模块包括：第四电阻、第五电阻、第六电阻、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第一二极管、低压差线性稳压器；

所述第六电容的第一端与输入高电压Vin连接，第六电容的第二端与地连接，第九电容的第一端分别与低压差线性稳压器的第一端和第二端连接，第九电容的第二端与地连接；

低压差线性稳压器的第三端与地连接，第四电阻的第一端与低压差线性稳压器的第四端连接，第四电阻的第二端与低压差线性稳压器的第五端和第五电阻的第一端连接，第五电阻的第二端与第六电阻的第一端连接，第六电阻的第二端接地；

第一二极管的阳极分别与第七电容的第一端、第八电容的第一端连接，第七电容的第二端、第八电容的第二端均与地连接；所述第一二极管的阳极和阴极均与所述MOSFET驱动模块连接；所述第一二极管的阳极连接所述低压差线性稳压器的第四端；

所述光耦的第三端与所述第一二极管的阴极连接；

所述光耦包括发光器和受光器，所述发光器为光耦LED二极管，其阳极和阴极分别对应所述光耦的第一端和第二端；所述受光器为光耦三极管，其发射极和集电极分别对应所述光耦的第三端和第四端；

低压差线性稳压器的第一端为开关使能端，第二端为输入端，第三端为接地端，第四端为输出端，第五端为电压调整端；

所述MOSFET驱动模块包括：MOSFET驱动芯片；MOSFET驱动芯片的第一端与输入高电压Vin连接，MOSFET驱动芯片的第二端分别与第一二极管的阴极和所述光耦的第三端连接，MOSFET驱动芯片的第三端为空脚，MOSFET驱动芯片的第四端与第五端均与第一二极管的阳极连接，MOSFET驱动芯片的第八端与MOSFET驱动芯片的第一端连接；

所述MOSFET驱动芯片第一端、第八端均为电源供电端，MOSFET驱动芯片的第二端为输入端，MOSFET驱动芯片的第四端和MOSFET驱动芯片的第五端均为接地端，MOSFET驱动芯片的第六端和MOSFET驱动芯片的第七端均为输出端。

2.如权利要求1所述的一种高压MOSFET驱动电路，其特征在于，

R1＝Vin/I_C，Vin为输入高电压，I_C为光耦三极管集电极电流；

R2＝Vcc/I_F，Vcc为控制电源，I_F为光耦LED二极管正向电流；

其中，R1为第一电阻，R2为第二电阻。

3.如权利要求1所述的一种高压MOSFET驱动电路，其特征在于，所述低压差线性稳压器的第四端为所述低压差线性稳压器的输出电压端，其中：

Vout＝Vref(1+R4/(R5+R6))

Vref为所述低压差线性稳压器的参考电压，Vout为所述低压差线性稳压器的第四端的输出电压；R4为第四电阻、R5为第五电阻、R6为第六电阻；

通过调节第四电阻、第五电阻、第六电阻的阻值来调节所述低压差线性稳压器的输出电压。

4.如权利要求1所述的一种高压MOSFET驱动电路，其特征在于，所述MOSFET驱动模块还包括：第四电容、第五电容、第三电阻；

所述第四电容的第一端、第五电容的第一端与输入高电压Vin连接，第四电容的第二端、第五电容的第二端均与地连接；

MOSFET驱动芯片的第六端与第七端均与第三电阻的第一端连接。