[发明专利]存储元件在审
| 申请号： | 201910729347.2 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110828661A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 加布里埃莱·纳瓦罗;马蒂厄·伯纳德;玛利亚-克莱尔·西里尔;奇亚拉·萨比奥内 | 申请（专利权）人： | 原子能与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王小衡;胡彬 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 元件 | ||
1.一种相变存储元件(100)，包括在第一部分(110)中的非晶层的堆叠(110)，所述堆叠中的每层的厚度小于或等于5nm，元件包括在所述堆叠(110)中的至少某些层处交叉的第二部分(112)，其由所述堆叠(110)中的层的组分中的至少一部分的合金制成。
2.根据权利要求1所述的元件，其中，所述堆叠(110)包括由不同材料制成的至少两个层的集合。
3.根据权利要求1或2所述的元件，其中，所述堆叠(110)中的层由来自元素周期表的13、14、15和16族的化学元素或化学元素的合金制成。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的元件，其中，所述堆叠(110)包括第一层和第二层的交替，所述第一层和所述第二层由不同材料制成。
5.根据权利要求4所述的元件，其中，所述第一层由锗、锑和碲构成的合金制成，并且所述第二层由锑或锗制成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的元件，其中，所述堆叠(110)中的每层的材料具有化学计量比例。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的元件，其中，所述第二部分(112)的材料的比例不是化学计量的。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的元件，其中，所述第一部分(110)和所述第二部分(112)被皮层(114)分开，所述皮层(114)由所述堆叠中的层中的一层的材料制成。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的元件，包括电阻元件(102)，其与所述第二部分(112)接触。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的元件，其中，所述第二部分(112)的材料是相变材料。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的元件，其中，所述堆叠(110)的层的集合中的层(120)被掺杂。
12.根据权利要求11所述的元件，其中，所述层的集合中的层(120)掺杂有氮、碳和硅中的一种或多种掺杂剂。
13.根据权利要求11或12所述的元件，其中，所述层的集合中的层的掺杂是渐进的。
14.一种相变存储器单元，包括根据权利要求1至13中任一项所述的存储元件(100)。
15.一种制造存储元件(100)的方法，包括形成非晶层的堆叠(110)，每层的厚度小于或等于5nm，元件包括在所述堆叠(110)中的至少某些层处交叉的第二部分(112)，其由所述堆叠(110)中的层的组分中的至少一部分的合金制成。
16.根据权利要求15所述的方法，包括加热所述堆叠的部分(112)的步骤，使得所述部分包括所述堆叠(110)中的层的组分中的至少一部分的合金。
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