[发明专利]基于TFT玻璃基板的高密度LED显示箱体及显示屏

说明书

本发明涉及一种基于TFT玻璃基板的高密度LED显示箱体，该箱体中像素单元设置在TFT基板的前表面，并且像素单元的电极与TFT驱动电路连接；封装结构为封装胶层，封装在TFT基板的前表面并覆盖像素单元。本发明在显示箱体内，相邻显示单元的边缘利用高低差台阶通过导电异向胶水进行粘接；在相邻显示箱体间，相邻显示单元采用侧面蚀刻线路或者通孔内添加导电胶方式将基板表面电路引至基板背面，利用驱动板控制显示像素发光，像素间距可做到0.5mm以下，最小可做到0.12，甚至更小，并且TFT具有成本优势，会大大缩减成本，同时可以提高显示效果。

技术领域

本发明属于LED显示屏技术领域，涉及一种基于TFT基板的混合式高密度LED显示箱体及显示屏。

背景技术

传统的TFT-LCD显示技术目前量产的最高为G11世代线，受到半导体，真空工艺的制约，投资成本高，技术门槛高，已难以向更高世代发展。同时考虑切割效率以及成本等因素，目前量产的显示屏最大尺寸为110寸。

Micro-LED是一种新型显示技术，也属于固态自主发光显示屏，结构相比OLED更加简单，微米级的像素间距，每一个像素点都能单独控制和驱动，让它的分辨率、亮度、对比度、功耗等性能参数都相当优秀，完全可以与OLED相媲美。同时Micro-LED采用无机发光材料，寿命和稳定性相比OLED更加具有优势，不容易发生亮度衰减烧屏老化等问题。

目前LED封装技术发展迅速，伴随倒装工艺的逐渐成熟，目前LED显示屏使用50um～10um芯片，点间距在P0.1～P0.5,定义为Micro-LED，使用50um～200um，点间距P0.5～P1.0定义为Mini LED，基于COB封装的小间距LED显示屏有天然的技术优势。但受制于单元板线宽线距影响，目前倒装LED显示像素间距最小能做到0.5mm。所以采用目前的载板很难实现Micro-LED在LED显示屏中的应用。

采用TFT-LCD显示控制技术，重新设计发光面焊盘，包括材质，尺寸等技术参数，然后利用LED封装技术进行封装，可以实现LED在其中的应用，但由于其常规设计为驱动电路与发光在统一平面，会导致无法实现LED的拼接。而LED显示屏的主要技术特点是可以实现无缝拼接，所以本发明提供一种方式可以实现利用TFT-LCD显示控制技术与LED封装结合，并且可以实现有效的拼接。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种基于TFT玻璃基板的高密度LED显示箱体，该显示箱体利用TFT-LCD显示控制技术实现与LED封装技术结合，可以实现显示箱体内的无缝拼接及箱体间的拼接，并且能够保证拼接可靠。

为了解决上述技术问题，本发明的基于TFT玻璃基板的高密度LED显示箱体由多个LED显示单元拼接而成；LED显示单元包括像素单元，封装结构；其特征在于还包括包含TFT驱动电路的TFT基板；所述的像素单元设置在TFT基板的前表面，并且像素单元的电极与TFT驱动电路连接；封装结构为封装胶层，封装在TFT基板的前表面并覆盖像素单元；在一个LED显示箱体内，TFT基板的边缘分为两类，一类边缘与本显示箱体内的TFT基板相邻，二类边缘与其他LED显示箱体内的TFT基板相邻；相邻两个一类边缘拼接处，其中一个一类边缘分布多个一类低台阶；对应的，另一个一类边缘分布多个一类高台阶；其中采用导体材料的一类低台阶和一类高台阶之间通过导电胶水粘接，用以连接固定相邻两个TFT基板及其正电极、负电极、行驱动数据线和列驱动数据线；采用非导体材料的一类低台阶和一类高台阶采用绝缘胶水粘接，用以连接固定相邻两个TFT基板；相邻两个二类边缘拼接处，其中一个二类边缘分布多个二类低台阶；对应的，另一个二类边缘分布多个二类高台阶；位置对应的二类低台阶与二类高台阶之间通过绝缘胶粘接；TFT基板正面的正电极、负电极、行驱动数据线和列驱动数据线通过导电胶与LED显示箱体背面的排线连接；排线与固定在LED显示箱体背面的驱动板连接。

采用导体材料的一类低台阶和一类高台阶之间通过导电异向胶水粘接或者selfassembly paste(自聚型)锡膏焊接。