[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法、发光二极管、显示装置

权利要求书

1.发光二极管外延片，包括衬底、及依次层叠于所述衬底上表面的第一型导电层、有源层和第二型导电层，其特征在于，所述有源层包括n个依次堆叠的周期单元，所述周期单元包括量子垒层、量子阱层及设置在所述量子阱层的至少一表面的界面调节层；所述界面调节层包括Te掺杂的Ⅲ-Ⅴ族化合物层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述量子垒层包括Si掺杂的势垒层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述量子阱层包括非掺杂的势阱层。

4.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述界面调节层的厚度小于2nm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述n为正整数，且1≤n≤20。

6.发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括权利要求1-5任一项所述的发光二极管外延片。

7.显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求6所示的发光二极管。

8.发光二极管外延片的生长方法，包括提供一衬底，在所述衬底的水平表面上依次第一型导电层、有源层和第二型导电层，其特征在于，所述有源层的生长包括如下步骤：

步骤S1、设置反应室内的温度，且在氢气作为载气的生长氛围下，生长量子垒层；

步骤S2、降低所述温度，且在氢气和氮气作为载气的生长氛围下，预通Te元素；

步骤S3、持续降低所述温度，并通入Ⅲ族元素后，再通入Ⅴ族元素生长氮化物材料，形成一层界面调节层；

步骤S4、当所述温度达到量子阱层的生长温度后，停止生长界面调节层，且关闭氢气，使反应室采用氮气作为载气的生长氛围；

步骤S5、保持步骤S4所述的温度，生长量子阱层；

步骤S6、提高所述温度，且在氢气和氮气作为载气的生长氛围下，预通Te元素；

步骤S7、持续提高所述温度，并通入Ⅲ族元素后，再通入Ⅴ族元素生长氮化物材料，形成另一层界面调节层；

步骤S8、当所述温度达到量子垒层的生长温度后，停止生长界面调节层，且关闭氮气，使反应室采用氢气作为载气的生长氛围；

步骤S9、重复执行步骤S1至S8的生长步骤n个周期。

9.根据权利要求8所述的发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述步骤S3的持续降低所述温度包括线性降低温度。

10.根据权利要求8所述的发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述步骤S7的持续提高所述温度包括线性提高温度。