[发明专利]一种民用空燃比传感器芯片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910730322.4 申请日: 2019-08-08
公开(公告)号: CN110297033A 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 余昌艳;洪旭;张财盛 申请(专利权)人: 厦门海赛米克新材料科技有限公司
主分类号: G01N27/407 分类号: G01N27/407;G01N27/409
代理公司: 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 代理人: 梁锦平
地址: 361000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 基体层 空燃比传感器 扩散障碍层 内电极 扩散 固体电解质层 芯片 发明传感器 加热器层 上表面 外电极 下表面 芯片带 制备 连通 测量 引入 覆盖
【权利要求书】:

1.一种民用空燃比传感器芯片,其特征在于:包括:

固体电解质层,上表面设置有外电极,下表面设置有内电极;

扩散基体层,设置于所述固体电解质层的下方;

加热器层,设置于所述扩散基体层的下方;

多孔扩散障碍层,设置于所述扩散基体层上,一端覆盖于所述内电极的表面,另一端延伸至所述扩散基体层的边缘处,且该多孔扩散障碍层具有能相互连通的气孔,使气体有一定障碍地由扩散基体层外侧引入至所述内电极处。

2.如权利要求1所述的一种民用空燃比传感器芯片,其特征在于:

所述多孔扩散障碍层的气孔率在10%~40%之间。

3.如权利要求1所述的一种民用空燃比传感器芯片,其特征在于:

所述多孔扩散障碍层包括一扩散部和一引入部,所述扩散部覆盖于所述内电极的表面,所述引入部的一端连接于所述扩散部,另一端延伸至所述扩散基体层的边缘处,且所述引入部为直线型、L型和往复回折型的薄片状结构。

4.如权利要求1所述的一种民用空燃比传感器芯片,其特征在于:所述固体电解质层还具有一多孔保护层,该多孔保护层覆盖于所述外电极的表面。

5.一种民用空燃比传感器的其制备方法,其特征在于:用于制备如权利要求1至4任一项所述的民用空燃比传感器芯片,包括下述步骤:

S1、流延:将高纯氧化铝粉体中添加一定量的溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂在球磨罐中球磨混合制成均匀体系的浆料,经脱泡后在流延机制成氧化铝流延片;

将高纯氧化锆、氧化钇粉体中添加一定量的溶剂、分散剂、粘结剂、增塑剂在球磨罐中球磨混合制成均匀体系的浆料,经脱泡后在流延机制成固体电解质流延片;

S2、冲孔:将制得的一片所述氧化铝流延片、一片所述固体电解质流延片进行冲孔,得到过孔,分别形成所述加热器层和所述固体电解质层;

S3、丝印:采用丝网印刷技术在所述加热器层流延片上丝印加热器及加热器引线和加热器引脚;

在固体电解质层上丝印内电极及内电极引线、外电极及外电极引线、电极引脚;

在另一所述氧化铝流延片上丝印多孔扩散浆料,形成扩散基体层;

S4、层压:依次将丝印好的加热器层、扩散基体层、固体电解质层依次叠加在一起,经过等静压压合后得到层压品素坯;

S5、切割:通过切割机将层压素坯切割成需要的尺寸,得到芯片素坯;

S6、排胶烧结:将所述芯片素坯置于排胶烧结炉中进行排胶烧结。

6.根据权利要求5所示的一种民用空燃比传感器的其制备方法,其特征在于:

所述步骤S1在制备所述氧化铝流延片时,氧化铝粉体、溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂的质量份分别是:

氧化铝粉体42~57份;

溶剂:乙醇10~20份,二甲苯10~20份;

分散剂:山梨坦单油酸酯0.5~1.5份;

粘结剂:聚乙烯醇缩丁醛树脂7~10份;

增塑剂:邻苯二甲酸酯0.5~2份;

且制得的所述氧化铝流延片厚度在100~300μm。

所述步骤S1在制备所述固体电解质流延片时,氧化锆粉体、氧化钇粉体、溶剂、分散剂、粘结剂和增塑剂的质量份分别是:

氧化锆粉体34~49份;

氧化钇粉体8~10份

溶剂:乙醇10~20份,二甲苯10~20份;

分散剂:山梨坦单油酸酯0.5~1.5份;

粘结剂:聚乙烯醇缩丁醛树脂7~10份;

增塑剂:邻苯二甲酸酯0.5~2份;

且制得的所述氧化铝流延片厚度在100~300μm。

7.根据权利要求5所示的一种民用空燃比传感器的其制备方法,其特征在于:所述步骤S3中,所述多孔扩散浆料是由下述质量份的各成份经分散、三辊步骤制得:

氧化铝陶瓷粉料45~54份;

造孔剂7~13份;

粘结剂5~9份;

分散剂0.5~1.5份;

溶剂24.5~42.5份。

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