[发明专利]电阻式存储器装置

说明书

一种电阻式存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括连接在第一信号线和第二信号线之间的存储器单元；控制电路，其被构造为产生用于控制对存储器单元执行的数据写操作的写控制信号和用于控制对存储在存储器单元中的数据进行读取的数据读操作的读控制信号；写电路，其被构造为供应写电流以支持数据写操作；读电路，其被构造为供应读电流以支持数据读操作；列解码器电路，其被构造为基于写控制信号将写电路电连接至第一信号线；以及行解码器电路，其被构造为基于读控制信号将读电路电连接至第二信号线。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0092667的权益，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及电阻式存储器装置，并且更具体地说，涉及写电流和读电流在不同的方向上施加的电阻式存储器装置。

背景技术

由于存储器装置需要更大的存储容量和更低的功耗，正在研究下一代非易失性且不需要刷新操作的存储器装置。下一代存储器装置可具有动态随机存取存储器(DRAM)的高度集成、闪速存储器的非易失性和静态随机存取存储器(SRAM)的高速性。目前引起人们广泛关注并满足上述要求的一些下一代存储器装置包括相变随机存取存储器(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物随机存取存储器(PoRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)和电阻随机存取存储器(ReRAM)。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了电阻式存储器装置，其被构造为减小由当读取数据时发生的尖峰电流导致的劣化。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种电阻式存储器装置可包括多条第一信号线和多条第二信号线。所述多条第二信号线中的各第二信号线可与所述多条第一信号线中的各第一信号线交叉。电阻式存储器装置可包括存储器单元阵列，其包括多个存储器单元。所述多个存储器单元中的各个存储器单元可在第一端连接至所述多条第一信号线中的一条第一信号线，并且可在第二端连接至所述多条第二信号线中的一条第二信号线。电阻式存储器装置可包括写电路，其被构造为通过所述多条第一信号线中的至少一条第一信号线将写电流供应至所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元，写电流与将数据写入所述至少一个存储器单元中相关联。电阻式存储器装置可包括读电路，其被构造为通过所述多条第二信号线中的至少一条第二信号线将读电流供应至所述多个存储器单元中的所述至少一个存储器单元，读电流与读取存储在所述至少一个存储器单元中的数据相关联。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种电阻式存储器装置可包括在第一方向上彼此间隔开的多条第一信号线，所述多条第一信号线各自在垂直于第一方向的第二方向上延伸。电阻式存储器装置可包括在第二方向上彼此间隔开的多条第二信号线，所述多条第二信号线各自在第一方向上延伸，所述多条第二信号线在第三方向上与所述多条第一信号线间隔开，第三方向垂直于第一方向和第二方向二者。电阻式存储器装置可包括存储器单元阵列，其包括多个存储器单元。所述多个存储器单元中的各个存储器单元可在第一端连接至所述多条第一信号线中的一条第一信号线，并且可在第二端连接至所述多条第二信号线中的一条第二信号线。电阻式存储器装置可包括写电路，其被构造为将写电流供应至所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元，以使得写电流经所述至少一个存储器单元从所述多条第一信号线中的对应的第一信号线流至所述多条第二信号线中的对应的第二信号线，写电流与将数据写入所述至少一个存储器单元中相关联。电阻式存储器装置可包括读电路，其被构造为将读电流供应至所述至少一个存储器单元，以使得读电流从对应的第二信号线经所述至少一个存储器单元流至对应的第一信号线，读电流与读取存储在所述至少一个存储器单元中的数据相关联。