[发明专利]一种钙钛矿氧化物薄膜器件及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种钙钛矿氧化物薄膜器件，其特征在于，包括：基底层、底电极层、PbZrO₃层、第一顶电极和第二顶电极；

所述底电极层设置在所述基底层的表面；

所述PbZrO₃层设置在所述底电极层背离所述基底层一侧的表面；

所述第一顶电极设置在所述PbZrO₃层背离所述底电极层一侧的表面；

所述第二顶电极设置在所述底电极层背离所述基底层一侧的表面。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿氧化物薄膜器件，其特征在于，所述底电极层材质选自LaNiO₃、SrRuO₃、La_0.7Sr_0.3MnO₃、掺氟氧化锡、SmNiO₃或(La,Sr)CoO₃。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿氧化物薄膜器件，其特征在于，所述基底层材质选自石英玻璃、硅片、云母或铂金。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿氧化物薄膜器件，其特征在于，所述第一顶电极和所述第二顶电极的材质为同一材质，所述第一顶电极和所述第二顶电极的材质选自Au、Pt、Al、Ag、W、Ti或TiN中的一种。

5.一种钙钛矿氧化物薄膜器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、按照溶胶凝胶法、磁控溅射法或脉冲激光沉积法，将底电极层材质设置在基底层的表面；

步骤2、按照溶胶凝胶法、磁控溅射法或脉冲激光沉积法，将PbZrO₃层设置在所述底电极层背离所述基底层一侧的表面；

步骤3、将第一顶电极设置在所述PbZrO₃层背离所述底电极层一侧的表面；

步骤4、将第二顶电极设置在所述底电极层背离所述基底层一侧的表面。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述溶胶凝胶法包括以下步骤：

步骤一、将LaNiO₃、SrRuO₃、La0.7Sr_0.3MnO₃、掺氟氧化锡、SmNiO₃或(La,Sr)CoO₃的前驱体溶液涂覆在所述基底层的表面，得到第一底电极层体；

步骤二、将所述第一底电极层体进行烘干，得到第二底电极层体；

步骤三、将所述第二底电极层体进行退火处理，所述底电极层设置在所述基底层的表面。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤二中，所述烘干的包括：160℃-180℃烘干5min-15min，300℃-400℃烘干10min-15min；步骤三中，所述退火的气氛选自空气、氧气和氮气中的一种或多种，所述退火的温度为700℃-800℃；所述退火时间为10-30min。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述溶胶凝胶法包括以下步骤：

步骤A、将PbZrO₃的前驱体溶液涂覆在所述底电极层的表面，得到第一PbZrO₃层体；

步骤B、将所述第一PbZrO₃层体进行烘干，得到第二PbZrO₃层体；

步骤C、将所述第二PbZrO₃层体进行退火处理，所述PbZrO₃层设置在所述底电极层背离所述基底层一侧的表面。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤B中，所述烘干的包括：160℃-180℃烘干5min-15min，300℃-400℃烘干10min-15min；步骤C中，所述退火的气氛包括空气、氧气和氮气中的一种或多种，所述退火的温度为600℃-750℃；所述退火时间为10-30min。

10.权利要求1-4任意一项所述的钙钛矿氧化物薄膜器件或权利要求5-9任意一项所述的制备方法制得的钙钛矿氧化物薄膜器件在阻变储存器中的应用。