[发明专利]存储器与其读写方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括多个沿着第一方向排列的存储层，各所述存储层包括：

存储阵列，包括多个阵列方式排列的存储单元和多个间隔设置的位线，所述存储单元排列的行方向和列方向分别与所述第一方向垂直，所述第一方向与各所述存储单元的厚度方向垂直，各所述存储单元包括第一端和第二端，同一行的各所述存储单元的第一端分别与同一个所述位线电连接，且任意两行的所述存储单元对应连接的所述位线不同；

开关单元，包括多个开关、多个间隔的字线以及至少一个源极线，其中，各所述开关包括第一端、第二端和控制端，所述开关的控制端与所述字线电连接，所述开关的第二端与所述源极线电连接，所述开关的第一端与所述存储单元的第二端电连接，

在各所述存储层中，同一列的所述存储单元的第二端与同一个所述开关的第一端电连接，且任意两列的所述存储单元对应连接的所述开关不同，所述开关的控制端与所述字线一一对应连接。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，每个所述存储层的所述开关单元中，所述源极线有一个。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，各所述存储层相同，且各所述存储层的中心点的连线平行于所述第一方向。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，多个所述存储层中位置对应的所述字线电连接形成一个字线总线，所述存储器中的所述字线总线的个数与各所述存储层中的存储单元的列数相同。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器，其特征在于，所述开关为晶体管，所述开关的第一端为所述晶体管的源极，所述开关的第二端与所述晶体管的漏极，所述开关的控制端为所述晶体管的栅极。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器，其特征在于，所述存储单元包括存储位元和与所述存储位元串联的选择器，所述存储位元远离所述选择器的一端为所述存储单元的第一端，所述选择器的远离所述存储位元的一端为所述存储单元的第二端。

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述存储位元为MTJ，所述选择器为双向导通开关。

8.一种权利要求1至7中任一项所述的存储器的读写方法，其特征在于，所述读写方法包括写过程，所述写过程包括第一写入过程，所述第一写入过程包括：

对选中的字线施加第一电压，使得与选中的所述字线电连接的开关导通；

对选中的位线施加第二电压，所述第二电压用于将存储单元写为第一状态；

对未选中的所述位线不施加任何电压。

9.根据权利要求8所述的读写方法，其特征在于，所述存储器的一个存储层中包括一个源极线，且一个所述存储层中的所述源极线与各所述开关的第二端电连接，所述存储层的存储单元包括存储位元和与所述存储位元串联的选择器，所述写过程还包括第二写入过程，所述第二写入过程包括：

对选中的所述字线施加第一电压，使得与选中的所述字线电连接的所述开关导通；

对所述源极线施加第三电压，所述第三电压大于所述选择器的开启电压；

对选中的所述位线施加0V，将所述存储位元写为第二状态，所述存储位元在所述第一状态对应的电阻大于在所述第二状态对应的电阻；

对未选中的所述位线不施加任何电压。

10.根据权利要求8或9所述的读写方法，其特征在于，所述存储层的存储单元包括存储位元和与所述存储位元串联的选择器，所述读写方法还包括读出过程，所述读出过程包括：

对选中的所述字线施加所述第一电压，使得与选中的所述字线电连接的所述开关导通；

对选中的位线施加第四电压，所述第四电压大于所述选择器的开启电压且小于所述第二电压；

对未选中的所述位线不施加任何电压。