[发明专利]一种低功耗输出固定频率的振荡器电路

权利要求书

1.一种低功耗输出固定频率的振荡器电路，其特征在于：包括环形振荡电路、使能电路和输出级电路，环形振荡电路与输出级电路相连，使能电路与环形振荡电路和输出级电路相连。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗输出固定频率的振荡器电路，其特征在于：环形振荡电路包括增强型PMOS管M1、增强型PMOS管M2、增强型PMOS管M3、增强型PMOS管M6、增强型NMOS管M7、增强型PMOS管M8、增强型NMOS管M9、增强型PMOS管M10、增强型NMOS管M11、电容C1、电容C2和电容C3，增强型PMOS管M1的源极与增强型PMOS管M22的漏极、增强型PMOS管M2的源极和增强型PMOS管M3的源极相连，增强型PMOS管M1的栅极与偏置电压Vbias、增强型PMOS管M2的栅极和增强型PMOS管M3的栅极相连，增强型PMOS管M1的漏极与增强型PMOS管M6的源极相连，增强型PMOS管M2的漏极与增强型PMOS管M8的源极相连，增强型PMOS管M3的漏极与增强型PMOS管M10的源极相连，增强型PMOS管M6的栅极与增强型NMOS管M7的栅极相连，增强型PMOS管M6的漏极与增强型NMOS管M7的漏极和电容C1相连，增强型PMOS管M8的栅极与增强型NMOS管M9的栅极相连，增强型PMOS管M8的漏极与增强型NMOS管M9的漏极和电容C2相连，增强型PMOS管M10的栅极与增强型NMOS管M11的栅极相连，增强型PMOS管M10的漏极分别与增强型NMOS管M11的漏极、增强型PMOS管M6的栅极和电容C3相连。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗输出固定频率的振荡器电路，其特征在于：使能电路包括增强型NMOS管M20、增强型NMOS管M21和增强型PMOS管M22，增强型NMOS管M20的漏极与增强型NMOS管M9的栅极相连，增强型NMOS管M20的栅极与增强型NMOS管M21的栅极和起振端ENB相连，增强型NMOS管M20的源极与地GND相连，增强型PMOS管M22的源极与电源VDD相连，增强型PMOS管M22的栅极与使能端ENA相连，增强型PMOS管M22的漏极和增强型PMOS管M1的源极相连。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗输出固定频率的振荡器电路，其特征在于：输出级电路包括增强型PMOS管M4、增强型PMOS管M5、增强型PMOS管M12、增强型NMOS管M13、增强型PMOS管M14、增强型NMOS管M15、增强型PMOS管M16、增强型NMOS管M17、增强型PMOS管M18和增强型NMOS管M19，增强型PMOS管M4的源级分别与增强型PMOS管M22的漏极、增强型PMOS管M5的源级、增强型PMOS管M16的源级和增强型PMOS管M18的源级相连，增强型PMOS管M4的栅极与增强型PMOS管M5的栅极和偏置电压Vbias相连，增强型PMOS管M4的漏极与增强型PMOS管M12的源级相连，增强型PMOS管M5的漏极与增强型PMOS管M14的源级相连，增强型PMOS管M12的栅极与增强型NMOS管M13的栅极相连，增强型PMOS管M12的漏极与增强型NMOS管M13的漏极相连，增强型NMOS管M13的源级与地GND相连，增强型PMOS管M14的栅极与增强型NMOS管M15的栅极相连，增强型PMOS管M14的漏极与增强型NMOS管M15的漏极相连，增强型NMOS管M15的源级与地GND相连，增强型PMOS管M16的栅极与增强型NMOS管M17的栅极相连，增强型PMOS管M16的漏极与增强型NMOS管M17的漏极相连，增强型NMOS管M17的源级与地GND相连，增强型PMOS管M18的栅极与增强型NMOS管M19的栅极相连，增强型PMOS管M18的漏极与增强型NMOS管M19的漏极相连形成漏极输出端CLK，增强型NMOS管M19的源级与地GND相连。