[发明专利]磁性器件在审

专利信息
申请号: 201910732600.X 申请日: 2019-08-09
公开(公告)号: CN111725389A 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 泽田和也;李永珉;及川忠昭;吉野健一;北川英二;矶田大河 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/10;H01F10/28;H01F10/32
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 万利军;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁性 器件
【权利要求书】:

1.一种磁性器件,具备:

设置于基板的上方的第1磁性体;

所述基板与所述第1磁性体之间的第2磁性体;

所述第1磁性体与所述第2磁性体之间的非磁性体;

设置于所述基板与所述第2磁性体之间并包括非晶层的第1层;以及

设置于所述非晶层与所述第2磁性体之间并包括结晶层的第2层。

2.根据权利要求1所述的磁性器件,

所述第2磁性体包括第1磁性层、所述第1磁性层与所述第2层之间的第2磁性层、以及所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层。

3.根据权利要求1或2所述的磁性器件,

所述第2磁性体具有SAF结构。

4.根据权利要求1所述的磁性器件,

所述非晶层包括硼化物层。

5.根据权利要求1所述的磁性器件,

所述结晶层包含钌和铂中的任一方。

6.根据权利要求1或5所述的磁性器件,

所述结晶层是钌和铂中的任一方与钽的层叠体。

7.根据权利要求1所述的磁性器件,

所述非晶层的膜厚为所述结晶层的膜厚以上。

8.根据权利要求1或7所述的磁性器件,

所述非晶层的膜厚为0.5nm以上,

所述结晶层的膜厚为0.5nm以上且2nm以下。

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