[发明专利]磁性器件在审
申请号: | 201910732600.X | 申请日: | 2019-08-09 |
公开(公告)号: | CN111725389A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 泽田和也;李永珉;及川忠昭;吉野健一;北川英二;矶田大河 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/10;H01F10/28;H01F10/32 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 万利军;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 器件 | ||
1.一种磁性器件,具备:
设置于基板的上方的第1磁性体;
所述基板与所述第1磁性体之间的第2磁性体;
所述第1磁性体与所述第2磁性体之间的非磁性体;
设置于所述基板与所述第2磁性体之间并包括非晶层的第1层;以及
设置于所述非晶层与所述第2磁性体之间并包括结晶层的第2层。
2.根据权利要求1所述的磁性器件,
所述第2磁性体包括第1磁性层、所述第1磁性层与所述第2层之间的第2磁性层、以及所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层。
3.根据权利要求1或2所述的磁性器件,
所述第2磁性体具有SAF结构。
4.根据权利要求1所述的磁性器件,
所述非晶层包括硼化物层。
5.根据权利要求1所述的磁性器件,
所述结晶层包含钌和铂中的任一方。
6.根据权利要求1或5所述的磁性器件,
所述结晶层是钌和铂中的任一方与钽的层叠体。
7.根据权利要求1所述的磁性器件,
所述非晶层的膜厚为所述结晶层的膜厚以上。
8.根据权利要求1或7所述的磁性器件,
所述非晶层的膜厚为0.5nm以上,
所述结晶层的膜厚为0.5nm以上且2nm以下。
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