[发明专利]一种TFT阵列基板及其显示面板在审

申请号：	201910732658.4	申请日：	2019-08-09
公开（公告）号：	CN110534529A	公开（公告）日：	2019-12-03
发明（设计）人：	刘净	申请（专利权）人：	深圳市华星光电技术有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L29/423;H01L29/417
代理公司：	44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)	代理人：	黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址：	518132 广东***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	第一金属层第二金属层金属层主体部基板层形貌特征阵列基板侧端部暗态漏光延伸
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【权利要求书】：

1.一种TFT阵列基板，包括基板层和设置在所述基板层上的金属层；其特征在于，其中所述金属层包括第一金属层和设置在所述第一金属层上的第二金属层；其中所述第一金属层包括主体部和尾部，其中所述第一金属层的主体部向上对应所述第二金属层，而所述第一金属层的尾部则是所述第一金属层自所述主体部的侧端部延伸出所述第二金属层外的部分。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述第一金属层用作阻挡金属层，而所述第二金属层用作电极金属层。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述第二金属层上还设置有第三金属层，其中所述第三金属层用作阻挡金属层。

4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述第一金属层尾部的长度在0～0.25微米范围内。

5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述金属层为栅极层，其中所述第一金属层尾部的长度L1在0.05～0.25微米范围内。

6.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述金属层为栅极层，其构型侧部倾角θ1的角度范围在25～50度范围内。

7.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述金属层为源漏极层，其中所述第一金属层尾部的长度L2在0～0.10微米范围内。

8.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述金属层为源漏极层，其构型侧部倾角θ2的角度范围在50～90度范围内。

9.根据权利要求1所述的TFT阵列基板；其特征在于，其中所述第一金属层的厚度在0～1000埃范围内；其中所述第二金属层的厚度在0～8000埃范围内。

10.一种显示面板；其特征在于，其包括根据权利要求1所述的TFT阵列基板。

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