[发明专利]一种用于探测器的丝阵式射频电磁屏蔽窗

说明书

本发明公开了一种用于探测器的丝阵式射频电磁屏蔽窗，所述屏蔽窗包括：丝阵和至少一个导体边框；丝阵为纵向丝阵，丝阵包括若干导体丝，若干导体丝沿预设方向和密度要求进行铺设组成丝阵，导体丝一端与导体边框连接，导体丝的另一端沿着预设方向延伸后与同一导体边框连接，或与另外一个导体边框连接；预设方向为能够对探测器产生电磁干扰的电场方向或预先确定的需要重点屏蔽的电场方向；本发明中的屏蔽窗实现了具有屏蔽效果的同时能够具有良好的透过率。

技术领域

本发明涉及电磁屏蔽技术领域，具体地，涉及一种用于探测器的丝阵式射频电磁屏蔽窗。

背景技术

在红外/可见/紫外/X光和粒子流脉冲的探测中，为了屏蔽外界电磁干扰或形成电子收集层，同时让被测光线和粒子流穿过，常采用金属丝网作为窗口。以GD-5005超快真空光电管(潘洪波，等，2009)和真空X光二极管(王红斌，等，1994)为例，均采用与阴极平行放置的金属网作为阳极收集电子。由于金属网具有镂空结构，绝大部分被探测器的可见/紫外光线和软X射线能够穿过金属网；同时，由于金属网具有射频电磁屏蔽功能，其收集电子产生电信号的能力与放置一片非镂空金属片吸收电子的特型近似相等。现有金属网采用正方形或六边形网格结构,没有区分对探测器起作用的电磁场方向，在透过率方面尚有优化空间。

发明内容

本发明提供了一种用于探测器的丝阵式射频电磁屏蔽窗，实现了具有屏蔽效果的同时能够具有良好的透过率。

发明人研究发现：在采用金属网作为电极的情形，以及采用金属网屏蔽探测器外射频电磁干扰的很多种情形下，均可以证明在金属网边界附近任意一位置只有一个方向的电场能够对探测器产生作用，而与之垂直方向的电场则不会产生影响。这一方向通常是，但不限于由探测器内部某两个分离导体间或探测器信号输出端反向馈入射频电磁信号时，馈入信号在屏蔽网表面产生的电场方向。在上述情形下，均可以采用本发明专利所涉及的丝阵式电磁屏蔽窗。该丝阵式电磁屏蔽窗选择性地沿一个方向布置丝状导体，与传统的屏蔽网相比，容易做到具有更高的透过率。当然，为了获得比传统丝网更高的透过率，本发明专利的应用范围不限于严格地只有一个方向的电场影响探测器的情形。在某些情形下，尽管不同方向的电场均可影响探测器，但由于其中某一个方向的影响占主要，也可以使用本发明专利涉及的丝阵式屏蔽网。原则上，可以由该丝阵式屏蔽网叠加一个更稀的屏蔽网的同时屏蔽产生主要和次要的影响的电磁场。显然，这种叠加亦可以通过把两个屏蔽网集成在一起实现。

为实现本发明目的，本申请提供了一种用于探测器的丝阵式射频电磁屏蔽窗，所述屏蔽窗包括：

丝阵和至少一个导体边框；丝阵为纵向丝阵，丝阵包括若干导体丝，若干导体丝沿预设方向和密度要求进行铺设组成丝阵，导体丝一端与导体边框连接，导体丝的另一端沿着预设方向延伸后与同一导体边框连接，或与另外一个导体边框连接；预设方向为能够对探测器产生电磁干扰的电场方向或预先确定的需要重点屏蔽的电场方向；对探测器的电磁干扰为射频信号耦合到探测器内部某两个分离的导体之间或探测器输出端产生影响，由上述分离导体间或探测器输出端反向溃入的射频电磁信号在屏蔽窗的内表面任意位置产生电磁场为线偏振波，具有特定的电场方向，进入屏蔽窗内的电磁场与上述线偏振方向相同的分量能够耦合到探测器内部偏压电路等关键部位或直接耦合到输出端对探测器输出结果产生影响，上述能够耦合到探测器内部关键部位或输出端的电场方向即能够对探测器产生电磁干扰的方向。

其中，导体丝沿着预设方向分布且近似铺满屏蔽窗，导体丝密度由所在位置电磁场对探测器的影响大小和屏蔽要求联合确定。在屏蔽窗内丝密度需要调整的情形下，还包括与纵向丝阵搭接在一起，用于调整丝密度的横向导体。横向导体的分布和位置关系由调整丝密度的要求确定，导体边框的位置和分布由探测器上需要通过光线或粒子流的开口边缘的位置和分布确定。