[发明专利]基板处理方法及基板处理装置在审
申请号: | 201910733035.9 | 申请日: | 2019-08-09 |
公开(公告)号: | CN110875216A | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 长田大和;上村隆一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 崔今花;周艳玲 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,具有:
干式蚀刻工序,对基板进行干式蚀刻处理;
湿式冲洗工序,将所述基板浸渍到冲洗液中;和
露点设定工序,在所述基板从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动的空间中,将露点设为基准值以下。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,还具有:
露点测量工序,测量所述基板所移动的所述空间的所述露点;和
运出判断工序,在由所述露点测量工序测量的所述露点为所述基准值以下的情况下,判断为从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动所述基板,并且在由所述露点测量工序测量的所述露点为所述基准值以上的情况下,判断为不从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动所述基板。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,
储存由所述干式蚀刻工序处理后的多张所述基板,
在所述湿式冲洗工序中将储存的多张所述基板同时浸渍到所述冲洗液中。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其中,
将由所述干式蚀刻工序处理后的多张所述基板储存在盒中。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法,其中,
在所述露点设定工序中,在所述空间的内部的冲洗槽中储存所述冲洗液且进行密闭,
在所述湿式冲洗工序中,解除所述冲洗槽的密闭并将所述基板浸渍到冲洗液中。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其中,还具有:
冲洗槽运入工序,在所述露点设定工序之前,以密闭所述冲洗槽的状态,将所述冲洗槽运入到所述空间中;和
冲洗槽运出工序,在所述露点设定工序之后,以密闭所述冲洗槽的状态,从所述空间运出所述冲洗槽。
7.一种基本处理装置,具有:
干式蚀刻室,用于对基板进行干式蚀刻处理;
冲洗槽,用于储存冲洗液,并且具有能够密闭的盖部,所述冲洗槽通过在所述冲洗液中浸渍所述基板来进行湿式冲洗;
手套箱,能够收纳所述冲洗槽;
露点测量计,用于测量所述手套箱的露点;
露点设定部,用于设定所述手套箱的露点;和
运出部,用于将由所述干式蚀刻室处理后的所述基板从所述干式蚀刻室运出到所述手套箱的所述冲洗槽中,
在所述运出部从所述干式蚀刻室向所述手套箱的所述冲洗槽运出所述基板时,
所述露点设定部将由所述露点测量计测量的所述手套箱的内部的露点设定为基准值以下。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,具有盒,所述盒用于储存由所述干式蚀刻室处理后的多张所述基板,并且将多张所述基板同时浸渍到所述冲洗槽的所述冲洗液中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造