[发明专利]一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构在审
| 申请号： | 201910733562.X | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN112436061A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 何飞;徐小萍 | 申请（专利权）人： | 江苏晶旺新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 艾秀丽 |
| 地址： | 225600 江苏省扬*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 三层 膜结构 perc 电池 结构 | ||
1.一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，包括硅片层(1)，其特征在于：所述硅片层(1)顶部外壁设置有正面氧化硅层(3)，所述正面氧化硅层(3)顶部外壁与正面氧化铝层(4)固定连接，所述正面氧化铝层(4)顶部外壁设置有正面氮化硅层(5)，所述硅片层(1)顶部外壁设置有正电极(2)，且正电极(2)顶端延伸至正面氮化硅层(5)的顶部外壁，所述硅片层(1)底部外壁设置有钝化层(7)，所述钝化层(7)底部外壁设置有保护层(8)，所述硅片层(1)底部外壁设置有负电极(6)，且负电极(6)底端依次贯穿钝化层(7)与保护层(8)。
2.根据权利要求1所述的一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，其特征在于：所述保护层(8)包括与钝化层(7)底部外壁固定连接的第二氧化硅层(83)，所述第二氧化硅层(83)底部外壁设置有背面氮化硅层(82)，所述背面氮化硅层(82)底部外壁与第一氧化硅层(81)固定连接。
3.根据权利要求2所述的一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，其特征在于：所述背面氮化硅层(82)上下两侧外壁均匀设置有连接块(10)，且上下两侧连接块(10)分别位于第二氧化硅层(83)与第一氧化硅层(81)的内腔中。
4.根据权利要求1所述的一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，其特征在于：所述负电极(6)左右外壁套接有挡块(9)，所述挡块(9)顶部外壁与保护层(8)底部外壁相贴合。
5.根据权利要求1所述的一种具有三层膜结构的P型PERC电池结构，其特征在于：所述钝化层(7)的截面厚度为七毫米，所述保护层(8)的截面厚度为六十毫米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
