[发明专利]接近传感器在审
| 申请号： | 201910733673.0 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110895330A | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 上平祥嗣 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | G01S7/497 | 分类号： | G01S7/497;G01S17/04;G01S17/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 日本国京都府京*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接近 传感器 | ||
1.一种接近传感器，其特征在于具有：发光部，对检测对象照射光；第1受光部，具有第1串扰特性并检测来自第1检测范围内存在的检测对象的外部反射光；第2受光部，具有不同于所述第1串扰特性的第2串扰特性并检测来自比所述第1检测范围更远的第2检测范围内存在的检测对象的外部反射光。
2.根据权利要求1所述的接近传感器，其特征在于：还具有将向所述第2受光部的内部反射光及内部泄漏光遮断的第1遮光壁。
3.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：还具有使向所述第1受光部的内部反射光及内部泄漏光减少的第2遮光壁。
4.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：所述第2受光部到透过窗的距离长于所述第1受光部到所述透过窗的距离。
5.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：所述第2受光部到所述发光部的距离长于所述第1受光部到所述发光部的距离。
6.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：所述发光部为垂直腔面发射激光器。
7.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：所述第2受光部的输出累积时间长于所述第1受光部的输出累积时间。
8.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：所述第2受光部的输出累计次数多于所述第1受光部的输出累计次数。
9.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：利用TOF[Time-of-Flight]方式判定检测对象是否存在于所述第2检测范围内。
10.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：所述发光部、所述第1受光部、及所述第2受光部分别形成于独立芯片。
11.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：所述发光部及所述第1受光部形成于共用芯片。
12.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：所述第1受光部及所述第2受光部形成于共用芯片。
13.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其中所述发光部、所述第1受光部、及所述第2受光部形成于共用芯片。
14.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：所述第1检测范围为0～5cm且所述第2检测范围为3～60cm。
15.根据权利要求2所述的接近传感器，其特征在于：所述第1遮光壁设置至高于所述第1受光部的上表面的位置。
16.根据权利要求1或2所述的接近传感器，其特征在于：所述第2受光部设置在低于所述第1受光部的下表面的位置。
17.根据权利要求2或15所述的接近传感器，其特征在于：所述第2受光部设置在低于所述第1遮光壁的下表面的位置。
18.根据权利要求17所述的接近传感器，其特征在于：所述第1遮光壁的下表面与供形成所述第2受光部的芯片的上表面相接。
19.根据权利要求18所述的接近传感器，其特征在于：在剖面观察下，供形成所述第1受光部的芯片、供形成所述第1遮光壁的结构构件、及供形成所述第2受光部的芯片纵向重叠。
20.根据权利要求18或19所述的接近传感器，其特征在于：在剖面观察下，供形成所述发光部的芯片、供形成所述第1遮光壁的结构构件、及供形成所述第2受光部的芯片纵向重叠。
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