[发明专利]气体处理装置和气体处理方法

说明书

本发明提供气体处理装置和气体处理方法。气体处理装置构成为具备：相向部，其与真空容器内的基板的载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口；处理气体的第一扩散空间，其在相向部的上方以与各第一气体喷出口连通的方式设置；多个第二气体喷出口，其是在从第一扩散空间的上方与该第一扩散空间相面对的顶部沿上下方向开设出的；处理气体的第二扩散空间，其在顶部的上方以与各第二气体喷出口连通的方式设置；以及多个第三气体喷出口，其是在所述顶部中的开设各第二气体喷出口的区域的外侧沿相对于垂直轴的倾斜比第二气体喷出口相对于垂直轴的倾斜大的斜方向开设出的，并且沿第一扩散空间的周向形成列且分别与该第二扩散空间连通。

技术领域

本公开涉及一种气体处理装置和气体处理方法。

背景技术

作为对作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆”)进行的气体处理，例如有时利用ALD(Atomic Layer Deposition：原子层沉积)、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)来进行成膜。在这样的气体处理中，例如向晶圆以喷淋状供给气体。在专利文献1中，示出了一种对用于载置晶圆的载置台供给气体来进行CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)的成膜装置。该成膜装置设置有用于支承晶圆的基座和设置于基座的上方的喷淋头。该喷淋头具备第一多孔板(面板)和第二多孔板(阻挡板)，该第一多孔板(面板)与晶圆相向并且形成有大量的孔；该第二多孔板(阻挡板)构成喷淋头，并且以将气体的扩散空间沿上下方向进行划分的方式设置于第一多孔板的上方。

专利文献1：日本特开2002-69650号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够在基板的面内进行均匀性高的气体处理的技术。

用于解决问题的方案

本公开的气体处理装置具备：

真空容器，在该真空容器的内部形成真空气氛；

载置部，其设置在所述真空容器内以用于载置基板；

相向部，其与所述载置部相向，并且具备多个第一气体喷出口，以向所述基板以喷淋状喷出处理气体来进行气体处理；

所述处理气体的第一扩散空间，其在所述相向部的上方以与各所述第一气体喷出口连通的方式设置；

多个第二气体喷出口，在从所述第一扩散空间的上方与该第一扩散空间相面对的顶部沿上下方向开设所述多个第二气体喷出口，以用于向所述第一扩散空间的中心部以喷淋状供给所述处理气体；

所述处理气体的第二扩散空间，其在所述顶部的上方以与各所述第二气体喷出口连通的方式设置；

气体供给路径，其设置在所述第二扩散空间的上游侧，用于向该第二扩散空间供给所述处理气体；以及

多个第三气体喷出口，在所述顶部中的开设各所述第二气体喷出口的区域的外侧沿相对于垂直轴的倾斜比所述第二气体喷出口相对于垂直轴的倾斜大的斜方向开设所述多个第三气体喷出口，以用于从所述第一扩散空间的中心部侧向周缘部侧以辐射状喷出所述处理气体，并且所述多个第三气体喷出口沿该第一扩散空间的周向形成列且分别与该第二扩散空间连通。

发明的效果

根据本公开，能够在基板的面内进行均匀性高的气体处理。

附图说明

图1是本公开的一个实施方式的成膜装置的纵剖侧视图。

图2是构成所述成膜装置的喷淋板和上部喷淋头的纵剖侧视图。