[发明专利]有机发光二极管显示面板在审
申请号: | 201910734007.9 | 申请日: | 2019-08-09 |
公开(公告)号: | CN110518035A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 赵舒宁;徐源竣 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第一基板 阴极层 阴极 薄膜电晶体 彩色滤光层 第二基板 保护层 辅助线 有机发光二极管显示面板 像素定义层 有机发光层 发光器件 相对设置 电连接 阳极层 纵横交错 压降 | ||
一种有机发光二极管显示面板被提供,包括:第一基板;薄膜电晶体层,设置在所述第一基板上;发光器件层,设置在所述薄膜电晶体层上,包括:阳极层、像素定义层、有机发光层、以及阴极层;第二基板,和所述第一基板相对设置;彩色滤光层,设置在所述第二基板上;保护层,设置在所述彩色滤光层上;阴极辅助线,纵横交错地设置在所述保护层上;其中,所述阴极辅助线和所述阴极层电连接以降低所述阴极层的IR压降。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,具体涉及有机发光二极管显示面板。
【背景技术】
目前,有机发光二极管发光器件的阴极为整面金属,为了增加光的透过率,阴极层需尽可能地做薄,但阴极层越薄,电阻越大。当从面板边缘给阴极层信号以后,从面板边缘到面板中心,IR压降(IR Drop)会逐渐增大。面板点亮以后,会出现边缘亮,中间暗的现象。
如图1所示,为习知的有机发光二极管显示面板10,包括第一基板100、薄膜电晶体层101、阳极层102、像素定义层103、有机发光层104以及阴极层105。为了增加光的透过率,阴极层105需被尽可能地做薄,但阴极层105越薄,电阻越大;从面板边缘给阴极层105信号以后,从面板边缘到面板中心,IR压降(IR Drop)会逐渐增大。面板点亮以后,会出现面板的边缘亮,中间暗的现象。此一现象须要改善,以解决习知有机发光二极管显示面板会有亮度明暗不均的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管显示面板,其可降低有机发光二极管显示面板的IR压降(IR Drop),改善面板的边缘亮,中间暗的问题。本发明在彩膜基板侧增加阴极辅助线,面板贴合之后使阴极辅助线和有机发光二极管的阴极层接触。因为阴极辅助线的IR压降很小,和有机发光二极管的阴极层接触后,可以减小面板的IR压降。
为实现上述目的,本发明的有机发光二极管显示面板,包括:
第一基板;薄膜电晶体层,设置在所述第一基板上;发光器件层,设置在所述薄膜电晶体层上,包括:阳极层、像素定义层、有机发光层、以及阴极层;第二基板,和所述第一基板相对设置;彩色滤光层,设置在所述第二基板上,包括多个阵列排列的子像素和黑色矩阵,每一个子像素之间通过黑色矩阵隔开;保护层,设置在所述彩色滤光层上;阴极辅助线,纵横交错地设置在所述保护层上;其中,所述阴极辅助线和所述阴极层电连接以降低所述阴极层的IR压降。
较佳地,所述阴极辅助线对应于所述黑色矩阵的图案,纵横交错地设置在所述保护层上。
较佳地,所述阴极辅助线由氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、铟掺杂氧化锌(Indium doped zinc oxide,IZO)、银化镁(MgAg)、以及氧化铟锡/银/氧化铟锡复合材料中的任一所组成。
较佳地,所述阴极辅助线的厚度为
较佳地,所述阳极层由氧化铟锡、铟掺杂氧化锌、以及氧化铟锡/银/氧化铟锡复合材料中的任一所组成。
较佳地,所述阳极层的厚度为
较佳地,所述彩色滤光层的厚度为
较佳地,所述阴极层由银化镁、铟掺杂氧化锌、氧化铟锡、铝、氧化铟锡/银/氧化铟锡复合材料、铟掺杂氧化锌/银/铟掺杂氧化锌复合材料中的任一所组成。
较佳地,所述阴极层的厚度为
较佳地,所述保护层的厚度为
【附图说明】
图1为习知的有机发光二极管显示面板;以及
图2为本发明实施例的有机发光二极管显示面板。
【具体实施方式】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的