[发明专利]一种微流控芯片微通道的激光制备方法有效

专利信息
申请号: 201910734224.8 申请日: 2019-08-09
公开(公告)号: CN110433877B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 吴天昊 申请(专利权)人: 北京电子工程总体研究所
主分类号: B01L3/00 分类号: B01L3/00
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 张磊
地址: 100854*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 微流控 芯片 通道 激光 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种微流控芯片微通道的激光刻蚀制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

清洗由高聚物材料制成的基板的表面,去除基板表面附着物;

将基板置于移动平台,使用气体激光器出射的激光对基板进行刻蚀形成微通道,同时,测量出微通道两侧热影响区的宽度值;

对微通道的两侧进行多次激光刻蚀,形成横截面为梯形的微通道,每次刻蚀前,以上一次刻蚀位置为原点,所述移动平台带动基板横向平移所述热影响区宽度值的距离;

将激光刻蚀后的基板进行退火处理,然后将盖片与所述基板热压合,得到微流控芯片。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,以首次进行激光刻蚀的位置为原点,所述移动平台带动基板向微通道的一侧横向平移所述热影响区宽度值的距离,对微通道的一侧进行第二次刻蚀;

以第二次刻蚀位置为原点,所述移动平台带动基板平移所述热影响区宽度值的距离,对微通道的一侧进行第三次刻蚀;

以第三次刻蚀位置为原点,所述移动平台带动基板平移所述热影响区宽度值的距离,对微通道的一侧进行第四次刻蚀;

以首次刻蚀位置为原点,所述移动平台带动基板向微通道的另一侧平移所述热影响区宽度值的距离,对微通道的另一侧进行第五次刻蚀;

以第五次刻蚀位置为原点,所述移动平台带动基板平移所述热影响区宽度值的距离,对微通道的另一侧进行第六次刻蚀;

以第六次刻蚀位置为原点,所述移动平台带动基板平移所述热影响区宽度值的距离,对微通道的另一侧进行第七次刻蚀。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,清理基板表面时,先采用无水乙醇清洗基板,后利用氮气将基板吹干。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,使用光学显微镜测量出微通道两侧热影响区的宽度值。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,使用白光干涉仪测量出微通道两侧热影响区的宽度值。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述基板的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述气体激光器为CO2激光器。

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