[发明专利]一种Cr-Sb相变存储材料及其制备与应用

权利要求书

1.一种Cr-Sb相变存储材料，其特征在于，其化学组成通式为Cr_iSb_j，其中，i、j分别对应着Cr原子、Sb原子在该Cr-Sb相变存储材料中的原子百分比，并且5≤i≤30,70≤j≤95，i+j＝100；

并且，所述Cr-Sb相变存储材料中，Cr原子存在于Sb晶格间隙中，并与Sb形成化学键。

2.如权利要求1所述Cr-Sb相变存储材料，其特征在于，所述Cr-Sb相变存储材料具体为薄膜Cr-Sb相变存储材料。

3.如权利要求2所述Cr-Sb相变存储材料，其特征在于，所述薄膜Cr-Sb相变存储材料的薄膜厚度为200-300nm。

4.如权利要求1所述Cr-Sb相变存储材料，其特征在于，所述Cr-Sb相变存储材料的高阻态电阻率至少是低阻态电阻率的100倍，其中，所述高阻态对应着非晶态的Cr-Sb相变存储材料，所述低阻态对应着晶态的Cr-Sb相变存储材料。

5.制备如权利要求1－4任意一项所述Cr-Sb相变存储材料的制备方法，其特征在于，该制备方法是利用磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法、电镀法或电子束蒸发法，实现Cr源提供的Cr元素与Sb源提供的Sb元素两者的共沉积，由此得到上述Cr-Sb相变存储材料。

6.如权利要求5所述制备方法，其特征在于，所述制备方法是利用磁控溅射法，并基于以下溅射源中的任意一种，实现Cr元素与Sb元素两者的共沉积：

(i)以分立的Cr单质靶和Sb单质靶共同作为溅射源，共溅射实现Cr元素与Sb元素两者的共沉积；

(ii)以掺杂Cr后的Sb合金靶作为溅射源，直接溅射实现Cr元素与Sb元素两者的共沉积；

(iii)在Sb单质靶上放置Cr贴片，将它们的整体作为溅射源，直接溅射实现Cr元素与Sb元素两者的共沉积。

7.如权利要求1－4任意一项所述Cr-Sb相变存储材料在相变存储器中的应用。

8.如权利要求1－4任意一项所述Cr-Sb相变存储材料在人工神经网络或抑制性突触器件中的应用。