[发明专利]一种TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极、钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201910734920.9 | 申请日: | 2019-08-09 |
公开(公告)号: | CN110429182A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 黄晋;高昌吉;张方辉;王晓;薛涛 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 李杰梅 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制备 复合电极 钙钛矿薄膜 太阳能电池 双层薄膜 钙钛矿 嵌入 光电转换效率 致密 电子传输层 空穴传输层 空间限制 填充因子 现实意义 有效抑制 制备过程 电荷 电极 上表面 光电子 沉积 迟滞 激子 输运 下层 传输 优化 | ||
1.一种TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、TiO2致密电子传输层的制备:将制备得到的TiO2溶胶凝胶沉积到基板上,干燥后再次沉积使表面平整,并在空气氛围中于350~400℃退火30~40min,得到TiO2致密电子传输层;
S2、TiO2上表面沉积AgNWs的电极的制备:将AgNWs分散在乙二醇中得到质量浓度为5mg/mL的AgNWs分散液,然后将AgNWs分散液沉积在S1得到的TiO2致密电子传输层上,并在空气氛围中于180~200℃退火20~30min,得到TiO2上表面沉积AgNWs的电极;
S3、TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极的制备:将制备得到的TiO2纳米晶沉积到S2得到的TiO2上表面沉积AgNWs的电极上,并在空气氛围中于100~300℃退火10~120min,得到TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极。
2.根据权利要求1所述的一种TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极的制备方法,其特征在于,所述S1中TiO2溶胶凝胶的物质的量浓度为0.2mol/L;
所述TiO2溶胶凝胶的具体制备过程为:将钛酸四丁酯、乙酰丙酮和乙醇按照2.39:1.06:17的体积比混合均匀得到溶液A,将盐酸、去离子水和乙醇按照0.08:0.85:17的体积比混合均匀得到溶液B,将溶液B加入到溶液A中,搅拌30~40min,放置24h进行陈化,得到TiO2溶胶凝胶。
3.根据权利要求1所述的一种TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极的制备方法,其特征在于,所述S1中干燥温度为100℃,干燥时间为10~20min。
4.根据权利要求1所述的一种TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极的制备方法,其特征在于,所述S3中TiO2纳米晶的质量浓度为150g/L;
所述TiO2纳米晶的制备过程为:将钛酸四丁酯和异丙醇按照3.7:1的体积比混合均匀,并在冰浴中搅拌30~35min,再加入体积分数为20~25%的冰醋酸水溶液混合均匀,将混合液于220℃水热反应12h,反应完成后加入聚乙二醇并超声清洗浓缩,得到质量浓度为150g/L的TiO2纳米晶。
5.根据权利要求1~4任一项所述的制备方法制备得到的TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极。
6.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿太阳能电池中包含TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极,包括以下步骤:
(1)制备TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极;
(2)于惰性气体保护下,将CH3NH3I和PbCl2按照3:1的摩尔比与DMF混合均匀,并于60℃搅拌得到质量分数为30%的钙钛矿前驱体溶液;
(3)将步骤(2)得到的钙钛矿前驱体溶液沉积在步骤(1)得到的TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极上,并于空气氛围下进行阶段式退火处理,得到MAPbIxCl3-x光吸收层;
(4)将Spiro-OMeTAD溶液沉积到步骤(3)得到的MAPbIxCl3-x光吸收层上得到空穴传输层;
(5)在步骤(4)的空穴传输层上沉积Ag电极,得到钙钛矿太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择