[发明专利]多掺杂硅锭的制备方法、多掺杂硅锭和硅片在审
| 申请号： | 201910735093.5 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110438566A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 明亮;段金刚;黄美玲;刘福刚 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/04;C30B28/06 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;何文红 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂硅 制备 混合物料 硅片 合金 太阳电池光电转换效率 熔化 退火 电阻率分布 光致衰减 均匀性好 少子寿命 浓度比 再结晶 镓合金 锭制 硅料 磷硅 硼硅 溶度 冷却 应用 | ||
1.一种多掺杂硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将硅料、硼硅合金、磷硅合金和镓合金混合，得到混合物料；所述混合物料中硅、硼、磷、镓的浓度比为1︰5.1×10-8～1.1×10-6︰6.4×10-10～3.1×10-6︰2.0×10-9～4.2×10-5；
S2、将步骤S1中的混合物料进行熔化、再结晶和退火冷却，得到多掺杂硅锭。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述混合物料中硅、硼、磷、镓的浓度比为1︰5.1×10-8～1.1×10-6︰6.4×10-10～3.1×10-6︰3.56×10-7～4.2×10-5。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述混合物料中硅、硼、磷、镓的浓度比为1︰2.72×10-7～8.13×10-7︰7.37×10-8～6.98×10-7︰3.56×10-7～4.2×10-5。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述混合物料中硅、硼、磷、镓的浓度比为1︰2.72×10-7～8.13×10-7︰7.37×10-8～6.98×10-7︰1.81×10-6～4.2×10-5。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述硅料为原生硅料、回炉硅料、提纯锭、片料中的至少一种；所述镓合金为单质镓、硅镓合金、磷镓合金、硼镓合金、硼硅镓合金、磷硅镓合金中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述多掺杂硅锭为有籽晶高效多晶硅锭和铸造单晶硅锭时，所述硅料中还包括籽晶，在熔化过程中混合物料中的籽晶部分熔化，硼硅合金、磷硅合金和镓合金需要全部熔化。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述多掺杂硅锭为普通多晶硅锭时，在熔化过程中混合物料中硅料、硼硅合金、磷硅合金和镓合金需要全部熔化。
8.一种多掺杂硅锭，其特征在于，所述多掺杂硅锭由权利要求1～7中任一项所述的制备方法制备得到。
9.根据权利要求8所述的多掺杂硅锭，其特征在于，所述多掺杂硅锭为多晶硅锭或单晶硅锭；所述多掺杂硅锭的电阻率范围为0.5Ω·cm～3.0Ω·cm；所述多掺杂硅锭的纵向电阻率分布在0.1Ω·cm以内。
10.一种硅片，其特征在于，所述硅片由权利要求8或9所述的多掺杂硅锭经过开方、切片后制得。
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