[发明专利]一种制备超薄SAPO-34分子筛膜的方法

权利要求书

1.一种制备超薄SAPO-34分子筛膜的方法，其特征在于，包括：

制备SAPO-34纳米晶种；

将SAPO-34纳米晶种涂覆多孔载体管上；

配制超浓的SAPO-34分子筛膜合成母液；

配制超浓的SAPO-34分子筛膜合成母液时，其中的Al₂O₃、P₂O₅、SiO₂、TEAOH、H₂O、DPA的摩尔比控制为1.0:0.5~2.0:0.05~0.6:1.0~8.0:3~20:0.1~6；

配制SAPO-34分子筛膜合成母液时，将四乙基氢氧化铵和水混合，然后加入铝源，搅拌1～5小时后得到澄清透明的溶液；将此溶液置于80摄氏度的烘箱中加热除去多余的水分；然后加入硅源，搅拌0.5～2小时后，加入磷源，搅拌0.5～2小时后，再加入二正丙胺，搅拌2小时，得到均匀的分子筛膜合成母液；

将多孔载体管置于分子筛膜合成母液中，室温老化0.5~3小时，然后置于烘箱高温水热合成得到SAPO-34分子筛膜，然后洗涤、干燥；

高温焙烧脱除模板剂，得到活化的SAPO-34分子筛膜。

2.根据权利要求1所述的一种制备超薄SAPO-34分子筛膜的方法，其特征在于，制备SAPO-34纳米晶种时，母液中Al₂O₃、P₂O₅、SiO₂、TEAOH、H₂O的摩尔比控制为1.0: 2.0: 0.6:4.0: 75，在443K下微波合成7小时，得到颗粒直径不超过300纳米的SAPO-34纳米晶种。

3.根据权利要求1所述的一种制备超薄SAPO-34分子筛膜的方法，其特征在于，所述多孔载体管的形状包括单通道管状、多通道管状、平板状或中空纤维管状，材料包括陶瓷、不锈钢、氧化铝、二氧化钛、二氧化锆、二氧化硅、碳化硅或氮化硅，孔径为2～2000纳米。

4.根据权利要求1所述的一种制备超薄SAPO-34分子筛膜的方法，其特征在于，所述SAPO-34纳米晶种的涂覆方法包括刷涂、浸涂、喷涂或旋涂。

5.根据权利要求4所述的一种制备超薄SAPO-34分子筛膜的方法，其特征在于，采用浸涂法涂布晶种时，SAPO-34纳米晶种浸涂液的浓度为0.01～2wt%。

6.根据权利要求1所述的一种制备超薄SAPO-34分子筛膜的方法，其特征在于，所述铝源包括异丙醇铝、氢氧化铝、单质铝、铝盐、氧化铝或水合氧化铝；所述硅源包括硅溶胶、硅酸酯或硅气溶胶。

7.根据权利要求6所述的一种制备超薄SAPO-34分子筛膜的方法，其特征在于，所述铝源为氢氧化铝。

8.根据权利要求1所述的一种制备超薄SAPO-34分子筛膜的方法，其特征在于，水热晶化的温度为473~573K，时间为2~10h。

9.根据权利要求1所述的一种制备超薄SAPO-34分子筛膜的方法，其特征在于，高温焙烧时控制焙烧温度370~500℃，焙烧时间2~8h。