[发明专利]存储器编程方法、装置、电子设备及可读存储介质

权利要求书

1.一种存储器编程方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)采用初始编程电压对所述存储器中待编程的存储单元进行编程；

2)验证所述存储单元是否完成编程，并对未通过验证的所述存储单元按照编程速度快慢进行分类；

3)采用不同的编程电压分别对编程速度快慢不同的未通过验证的所述存储单元进行再次编程。

2.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于：在步骤2)中，验证所述存储单元是否完成编程，对未通过验证的所述存储单元按照编程速度快慢进行分类的方法包括：对编程后的所述存储单元采用编程通过验证电压和至少一种编程速度验证电压进行验证；将通过所述编程通过验证电压验证的所述存储单元判定为通过验证的所述存储单元，将未通过所述编程通过验证电压验证的所述存储单元判定为未通过验证的所述存储单元；按照是否通过所述编程速度验证电压验证，对未通过验证的所述存储单元的编程速度快慢进行分类。

3.根据权利要求2所述的存储器编程方法，其特征在于：所述编程速度验证电压为一种，将通过所述编程速度验证电压验证的未通过验证的所述存储单元判定为快速单元，将未通过所述编程速度验证电压验证的未通过验证的所述存储单元判定为慢速单元。

4.根据权利要求3所述的存储器编程方法，其特征在于：不同的所述编程电压包括具有不同电压值和/或持续时间的所述编程电压。

5.根据权利要求4所述的存储器编程方法，其特征在于：不同的所述编程电压包括第一编程电压和第二编程电压，所述第一编程电压的持续时间小于所述第二编程电压；采用所述第一编程电压对所述快速单元进行再次编程，采用所述第二编程电压对所述慢速单元进行再次编程。

6.根据权利要求5所述的存储器编程方法，其特征在于：产生所述第一编程电压和所述第二编程电压的方法包括：对所述快速单元和所述慢速单元的字线施加字线电压脉冲，所述字线电压脉冲在持续时间上分为前后连接的第一时间区间和第二时间区间，所述快速单元的位线在所述第一时间区间内施加高电平，在所述第二时间区间内接地，所述慢速单元的位线在所述第一时间区间和所述第二时间区间内接地。

7.根据权利要求4所述的存储器编程方法，其特征在于：不同的所述编程电压包括第三编程电压和第四编程电压，所述第三编程电压的持续时间小于所述第四编程电压，且所述第三编程电压的电压值小于所述第四编程电压的电压值；采用所述第三编程电压对所述快速单元进行再次编程，采用所述第四编程电压对所述慢速单元进行再次编程。

8.根据权利要求7所述的存储器编程方法，其特征在于：产生所述第三编程电压和所述第四编程电压的方法包括：对所述快速单元和所述慢速单元的字线施加字线电压脉冲，所述字线电压脉冲在持续时间上分为前后连接的第一时间区间和第二时间区间，所述字线电压脉冲在所述第一时间区间内的电压值高于所述字线电压脉冲在所述第二时间区间内的电压值，所述快速单元的位线在所述第一时间区间内施加高电平，在所述第二时间区间内接地，所述慢速单元的位线在所述第一时间区间和所述第二时间区间内接地。

9.根据权利要求1所述的存储器编程方法，其特征在于：在采用不同的编程电压分别对编程速度不同的未通过验证的所述存储单元进行再次编程后，还包括如下步骤：

4)再次验证所述存储单元是否完成编程；

5)采用不同的编程电压分别对编程速度不同的未通过验证的所述存储单元进行再次编程；

6)循环执行步骤4)至步骤5)直至通过验证的所述存储单元的计数大于设定值。

10.根据权利要求9所述的存储器编程方法，其特征在于：在步骤4)中，还包括对未通过验证的所述存储单元按照编程速度快慢进行再次分类的过程。