[发明专利]功率放大器及其温度补偿方法在审
申请号: | 201910738433.X | 申请日: | 2019-08-12 |
公开(公告)号: | CN111835301A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 简惠庆 | 申请(专利权)人: | 立积电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/21 | 分类号: | H03F3/21;H03F1/30 |
代理公司: | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人: | 刘民选 |
地址: | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率放大器 及其 温度 补偿 方法 | ||
1.一种功率放大器,其特征在于,其经组态以放大其所接收的一输入信号,该功率放大器包括:
一偏压电路,其包括:
一参考电压电路,经组态以接收一第一系统电压,并且该参考电压电路根据该第一系统电压提供一参考电压,其中该参考电压随一芯片温度改变而改变;及
一偏压产生电路,电性连接该参考电压电路,经组态以接收一第二系统电压及该参考电压并产生一工作电压;以及
一输出级电路,电性连接该偏压电路,该输出级电路经组态以接收该工作电压以及一驱动电流,以接收并放大该输入信号;
其中当该芯片温度改变时,该偏压产生电路经组态以依据该参考电压改变该工作电压,以使该驱动电流随着该芯片温度上升而趋近于一预定值。
2.如权利要求1所述的功率放大器,其特征在于,其中该偏压产生电路包括:
一第一晶体管,其第一端接收该第二系统电压,其第二端经由一偏压电阻连接于该输出级电路;
一第一二极管,其一端经由一第一电阻接收该参考电压,且连接该第一晶体管的第三端并通过一偏压电容耦接共同端;以及
一第二二极管,其一端连接该第一二极管的另一端,其另一端耦接共同端。
3.如权利要求2所述的功率放大器,其特征在于,其中该参考电压电路包括一能隙参考电压电路,其包括:
一第四晶体管,其第一端连接该第一系统电压,其第二端经由一第二电阻连接该第一系统电压,其第三端耦接一第一节点;
一第三电阻,其一端耦接该第一节点;
一第四电阻,其一端耦接该第一节点;
一第五晶体管,其第一端耦接该第三电阻的另一端;
一第六晶体管,其第一端耦接该第四电阻的另一端,其第三端与其第一端短路且耦接该第五晶体管的第一端;
一电流镜电路,其分别连接该第五晶体管的第二端、该第六晶体管的第二端并耦接共同端,该电流镜电路包括多个第七晶体管,其中该能隙参考电压电路经组态以依据该芯片温度改变于该第一节点输出的该参考电压;
一第八晶体管,其第一端耦接该第一节点,其第三端耦接该第三电阻的另一端及该第五晶体管的第一端之间;以及
一第九晶体管,其第一端耦接该第八晶体管的第二端,其第二端耦接共同端,其第三端与其第一端短路。
4.如权利要求3所述的功率放大器,其特征在于,其中该偏压电路更包括电性连接该偏压产生电路的一辅助电路,经组态以改变一参考电流,且该偏压产生电路更经组态以接收该第二系统电压、该参考电压及该参考电流并产生该工作电压,其中当该芯片温度改变时,该辅助电路经组态以使该参考电流随该芯片温度改变而改变,该偏压产生电路经组态以依据该参考电压及该参考电流改变该工作电压,以使该驱动电流随着该芯片温度上升而趋近于该预定值。
5.如权利要求4所述的功率放大器,其特征在于,其中该辅助电路包括:
一第十晶体管,其第一端提供该参考电流,其第三端连接于该第六晶体管的第三端;
多个第十一晶体管,其第三端分别连接该电流镜电路。
6.如权利要求5所述的功率放大器,其特征在于,其中该参考电流是依据该第十一晶体管及该第七晶体管的数量比例及该芯片温度而改变。
7.如权利要求2所述的功率放大器,其特征在于,其中该参考电压电路包括一能隙参考电压电路,其包括:
一第一放大器,其第一输入端经由一第五电阻连接该第一系统电压,其第二输入端经由一第六电阻连接该第一系统电压,其输出端耦接一第二节点;
一第十二晶体管,其第一端耦接该第一放大器的该第一输入端,其第二端耦接一第七电阻的一端,其第三端耦接于一第三节点;
一第十三晶体管,其第一端耦接该第一放大器的该第二输入端,其第二端耦接该第七电阻的另一端,其第三端耦接于该第三节点;
一第八电阻,其耦接该第七电阻的该另一端及一第三系统电压;
一第九电阻,耦接于该第二节点及该第三节点之间;
一第十电阻,耦接于该第三节点及该第三系统电压之间,
其中该能隙参考电压电路经组态以依据该芯片温度改变于该第二节点输出的该参考电压。
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