[发明专利]氧化物化学机械平面化(CMP)抛光组合物

权利要求书

1.一种化学机械平面化(CMP)组合物，其包含：

a.0.05至10重量％的磨料，其选自二氧化铈涂覆的无机氧化物、二氧化铈涂覆的有机聚合物颗粒及其组合；

b.0.005至1.0重量％的第一添加剂，其由包含多个羟基官能团的有机化合物组成；

c.第二添加剂，其由包含磺酸根或磺酸官能团的芳族有机化合物组成；

d.溶剂，其选自水、醚和醇；以及任选地

e.杀生物剂和pH调节剂；

其中所述组合物的pH范围为3至10。

2.根据权利要求1所述的CMP组合物，其中所述磨料是二氧化铈涂覆的无机氧化物，其选自：二氧化铈涂覆的胶体二氧化硅；二氧化铈涂覆的高纯度胶体二氧化硅；二氧化铈涂覆的氧化铝；二氧化铈涂覆的二氧化钛；二氧化铈涂覆的氧化锆；及其组合。

3.根据权利要求1或2所述的CMP组合物，其中所述包含磺酸根或磺酸官能团的芳族有机化合物包含直接键合于芳环或通过烷基桥连基团与芳环连接的磺酸根或磺酸官能团。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的CMP组合物，其中所述第一添加剂的一般分子结构为：

其中：n选自2至5,000，并且R1、R3和每次出现的R2独立地选自氢、烷基、烷氧基、具有一个或多个羟基的有机基团、取代的有机磺酸、取代的有机磺酸盐、取代的有机羧酸、取代的有机羧酸盐、有机羧酸酯和有机胺基团。

5.根据权利要求4所述的CMP组合物，其中R1、R2和R3是氢。

6.根据权利要求4所述的CMP组合物，其中n选自3至12。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的CMP组合物，其中所述第一添加剂选自：核糖醇、木糖醇、内消旋赤藓糖醇、D-山梨糖醇、甘露醇、卫矛醇、艾杜糖醇及其组合。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的CMP组合物，其中所述第一添加剂的一般分子结构为：

其中n选自2至5,000，并且R2和每次出现的R1独立地选自氢、烷基、烷氧基、具有一个或多个羟基的有机基团、取代的有机磺酸、取代的有机磺酸盐、取代的有机羧酸、取代的有机羧酸盐、有机羧酸酯和有机胺基团。

9.根据权利要求8所述的CMP组合物，其中n选自3至12。

10.根据权利要求8所述的CMP组合物，其中R1和R2是氢并且n选自3至4。

11.根据权利要求1-3中任一项所述的CMP组合物，其中所述第一添加剂的一般分子结构选自：

(a)

(b)和

(c)

其中R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14独立地选自氢、烷基、烷氧基、具有一个或多个羟基的有机基团、取代的有机磺酸、取代的有机磺酸盐、取代的有机羧酸、取代的有机羧酸盐、有机羧酸酯和有机胺基团，条件是每个结构中R1至R14中的至少两次出现是氢。

12.根据权利要求11所述的CMP组合物，其中所述第一添加剂选自：D-(-)-果糖、脱水山梨糖醇、蔗糖、β-乳糖、D-核糖、肌醇、葡萄糖及其组合。

13.根据权利要求11所述的CMP组合物，其中所述第一添加剂的一般分子结构为：

其中R1至R5独立地选自氢、烷基、烷氧基、具有一个或多个羟基的有机基团、取代的有机磺酸或盐、取代的有机羧酸或盐、有机羧酸酯和有机胺基团。