[发明专利]一种新型太赫兹温控可调多频超材料吸波器

权利要求书

1.一种新型太赫兹温控可调多频超材料吸波器，其特征在于采用“三明治”吸波结构，中间的介质层（2）选用温控可调的InSb材料，在InSb介质层两侧使用溅射工艺，背面全附金属，正面采用金属剥离工艺制备单元阵列。

2.根据权利要求1所述的一种新型太赫兹温控可调多频超材料吸波器，其特征在于InSb介质层正面的金属单元（1）由四角L型和中间内嵌锯齿型结构组成，单元整体为中心对称图形。

3.根据权利要求1或2所述的一种新型太赫兹温控可调多频超材料吸波器，其特征在于InSb介质层采用真空镀膜技术，在硅片进行InSb薄膜的制备，在制备的过程中利用惰性气体进行保护，采用三温区法，控制两个蒸发源和硅基底的温度，使成膜后Sb的分子浓度较低，即处于富In状态，在热处理过程的后半部分，由于共晶点的退化，会析出In固相，因此得到InSb-In共晶体，再通过热处理的方法析出InSb晶体。

4.根据权利要求2所述的一种新型太赫兹温控可调多频超材料吸波器，其特征在于金属单元采用的金属剥离工艺具体包括以下步骤：首先在InSb介质层上进行匀胶，使用的胶为AZ5214E，接下来对匀胶过后的胶体进行前烘，温度为95℃，烘干时间为90s，然后冷却至室温，再进行掩膜曝光；掩膜曝光后立刻进行反转烘，温度为105℃，烘干时间为2min，再冷却至室温后进行泛曝光，泛曝光完毕后使用238显影液对胶进行显影，显影时间为40s，用去离子水冲洗50s，再用氮气将其吹干，将吹干后的物体置于溅射机中，溅射金属，将溅射好的产品进行最终的剥离，将物体置于丙酮溶液中，便于胶体上的金属与介质基板上的金属分离，之后留下介质层上的金属结构，最后使用去离子水对剥离后的产品进行冲洗，使用氮气吹干。

5.根据权利要求4所述的一种新型太赫兹温控可调多频超材料吸波器，其特征在于匀胶过程为：将硅片作为InSb衬底，再将AZ5214E胶液滴于InSb上方，然后将其整体置于匀胶机上，低速为600r/min，加速度设置为600m/s²，匀胶时间为6s，然后再高速4000r/min，加速度为2000m/s²，匀胶时间为30s，这样就会形成胶体薄膜。

6.根据权利要求1或2所述的一种新型太赫兹温控可调多频超材料吸波器，其特征在于所用金属为铜。