[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置具有：

第1电极；

半导体层，设于所述第1电极之上，所述半导体层具有：第1导电型的第1半导体区域，与所述第1电极电连接；第2导电型的第2半导体区域，设于所述第1半导体区域之上；第2导电型的第3半导体区域，沿着与从所述第1电极朝向所述半导体层的第1方向垂直的第1面设于所述第2半导体区域的周围，并与所述第2半导体区域相接触，具有比所述第2半导体区域低的第2导电型的杂质浓度；以及第1导电型的第4半导体区域，沿着所述第1面设于所述第3半导体区域的周围，并与所述第3半导体区域分离，具有比所述第1半导体区域高的第1导电型的杂质浓度；

第2电极，具有设于所述第2半导体区域之上的第1电极部分、和沿着所述第1面设于所述第1电极部分的周围的第2电极部分，并与所述第2半导体区域电连接；

第3电极，沿着所述第1面设于所述第2电极的周围，并与所述第2电极分离，与所述第4半导体区域电连接；

半绝缘层，具有在所述第2半导体区域和所述第4半导体区域之间与所述半导体层的所述第1半导体区域相接触的第1下表面，并与所述第2电极及所述第3电极电连接；以及

第1绝缘层，在所述第1方向上设于所述半导体层和所述第2电极部分之间，具有至少一部分与所述半导体层相接触的第2下表面，从所述第2电极朝向所述第3电极的径向上的所述第2下表面的第1端部位于所述第3半导体区域之上，

在所述第1端部和所述半导体层之间设有所述半绝缘层的一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述半导体装置还具有第2导电型的第5半导体区域，该第5半导体区域沿着所述第1面设于所述第3半导体区域的周围，具有比所述第2半导体区域低的杂质浓度，

所述第5半导体区域位于所述第3半导体区域和所述第4半导体区域之间，并与所述第4半导体区域分离，与所述半绝缘层的所述第1下表面相接触。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第2电极部分的所述径向上的第2端部在所述第1方向上与所述第1绝缘层重叠，

所述第1端部的所述径向上的位置和所述第2端部的所述径向上的位置之间的距离为15μm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第1绝缘层具有与所述径向相交、而且在所述第1端部与所述第2下表面连接的侧面，

所述第2下表面和所述侧面之间的角度为50度以上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述第1下表面及所述第2下表面分别沿着与所述第1方向垂直的第2方向、和与所述第1方向及所述第2方向垂直的第3方向，

所述第1下表面的所述第1方向上的位置和所述第2下表面的所述第1方向上的位置之间的所述第1方向上的距离为50nm以上150nm以下。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

所述半导体装置还具有栅极电极，

所述半导体层还具有有选择地设于所述第2半导体区域之上的第1导电型的第6半导体区域，

所述第6半导体区域与所述第2电极电连接，

所述栅极电极隔着栅极绝缘层与所述第1半导体区域的一部分、所述第2半导体区域及所述第6半导体区域对置。