[发明专利]薄膜晶体管基板和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

基板；

在所述基板上的第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上的第二缓冲层；

在所述第二缓冲层上的半导体层；以及

与所述半导体层分隔开的栅极电极，所述栅极电极的至少一部分与所述半导体层交叠，

其中所述第一缓冲层的表面氧浓度高于所述第二缓冲层的表面氧浓度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中在所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间形成偶极矩。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一缓冲层包括离子键，所述第二缓冲层包括共价键，并且

其中所述离子键中包含金属。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述半导体层包括氧化物半导体材料。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述半导体层包括在所述缓冲层上的第一半导体层和在所述第一半导体层上的第二半导体层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：

在所述半导体层上的第一栅极绝缘膜；和

在所述第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜，

其中所述第二栅极绝缘膜的表面氧浓度高于所述第一栅极绝缘膜的表面氧浓度。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中在所述第一栅极绝缘膜与所述第二栅极绝缘膜之间形成偶极矩。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一栅极绝缘膜包括共价键，所述第二栅极绝缘膜包括离子键，并且

其中所述离子键中包含金属。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括在所述基板和所述第一缓冲层之间的遮光层。

10.一种薄膜晶体管基板，包括：

在基板上的半导体层；

在所述半导体层上的第一栅极绝缘膜；

在所述第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜；以及

在所述第二栅极绝缘膜上的栅极电极，

其中所述第二栅极绝缘膜的表面氧浓度高于所述第一栅极绝缘膜的表面氧浓度。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其中在所述第一栅极绝缘膜与所述第二栅极绝缘膜之间形成偶极矩。

12.一种显示装置，包括：

基板；

在所述基板上的移位寄存器；和

与所述移位寄存器连接的像素，

其中所述移位寄存器包括通过栅极线与所述像素连接的级，

其中所述级包括至少一个薄膜晶体管，

其中所述薄膜晶体管包括：

在所述基板上的第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上的第二缓冲层；

在所述第二缓冲层上的半导体层；以及

与所述半导体层分隔开的栅极电极，所述栅极电极的至少一部分与所述半导体层交叠，

其中所述第一缓冲层的表面氧浓度高于所述第二缓冲层的表面氧浓度。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中在所述第一缓冲层与所述第二缓冲层之间形成偶极矩。

14.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第一缓冲层包括离子键，所述第二缓冲层包括共价键，并且

其中所述离子键中包含金属。

15.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述半导体层包括氧化物半导体材料。