[发明专利]蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法

说明书

本发明涉及一种蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法，包括：主体，由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成，主体顶面和主体底面隔开规定间隔，主体外径面为将主体顶面的外侧轮廓线和主体底面的外侧轮廓线相连接的面，主体内径面与主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部；及安置部，由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成，安置部顶面的外径直接连接到主体内径面且安置部顶面位于低于主体顶面的位置，安置部底面与安置部顶面隔开规定间隔且与主体底面连接，安置部内径面为将安置部顶面的内侧轮廓线和安置部底面的内侧轮廓线相连接的面。

技术领域

本发明涉及一种蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法。

背景技术

在等离子体处理装置中，上电极和下电极配置在腔室中，如半导体晶片或玻璃基板等的基板安装在下电极上，在两个电极之间施加电力。被两个电极之间的电场加速的电子、从电极发射的电子或加热的电子与载气的分子碰撞，从而产生载气的等离子体。等离子体中的如自由基或离子等活性物质在基板表面上进行所需的微加工，例如蚀刻加工。

近来，用于制造微电子器件等的设计规则变得更精细，尤其，等离子体蚀刻需要具有更高的尺寸精度，因此使用与以往相比显著高的电力。在这种等离子体处理装置内装有受等离子体影响的聚焦环。

当供向等离子体装置的电力增加时，基于形成驻波的波长效应、电场集中于电极表面中心部的趋肤效应等，大体上在基板上中心部的等离子分布最多，而在边缘部的分布最少，从而等离子体在基板上的分布严重不均匀。而且，若在基板上等离子体分布不均匀，则等离子体处理无法进行到规定程度，导致所制造的微电子器件的质量下降。

为了防止或减轻这种不均衡，将聚焦环用于基板的边缘，但聚焦环也会被等离子体蚀刻，因此根据蚀刻程度需要定期进行更换。为了更换聚焦环，必须打开等离子设备的腔室，而这些腔室开放和聚焦环的更换是导致微电子器件的制造产量下降的重要原因之一。

韩国公开专利第1995-0015623号试图采用盖环，且韩国公开专利第2009-0101129号试图通过在基座和边缘部之间设置电介质来实现等离子体分布的均匀性。然而，上述专利具有复杂的结构，并且难以实现在电介质和边缘部之间的精密设计。

发明内容

本发明的目的在于提供蚀刻装置用环形部件及使用其的基板的蚀刻方法。

为了达到上述目的，本发明的一实施方式提供一种蚀刻装置用环形部件，其特征在于，包括：主体，由主体顶面、主体底面、主体外径面及主体内径面围成，上述主体顶面和上述主体底面隔开规定间隔，上述主体外径面为将上述主体顶面的外侧轮廓线和上述主体底面的外侧轮廓线相连接的面，上述主体内径面与上述主体顶面的内侧轮廓线相连接且包围主体的一部分或全部；及安置部，由安置部顶面、安置部底面及安置部内径面围成，上述安置部顶面的外径直接连接到上述主体内径面且上述安置部顶面位于低于上述主体顶面的位置，上述安置部底面与上述安置部顶面隔开规定间隔且与上述主体底面连接，上述安置部内径面为将上述安置部顶面的内侧轮廓线和上述安置部底面的内侧轮廓线相连接的面。其中，上述主体顶面与上述安置部顶面之间形成台阶，使得基板能够安置在上述安置部顶面上。

上述蚀刻装置用环形部件在表面或整体上包含有经碳化硼含有颗粒进行颈缩而成的碳化硼，且在400℃下测量的导热率值在27W/(m*k)以下。

以上述安置部顶面与上述安置部底面之间的距离为基准，上述主体顶面与上述主体底面之间的距离为所述基准的1.5至3倍。

对上述主体顶面或上述安置部顶面测得的表面粗糙度为0.1μm至1.2μm。

上述主体顶面或上述安置部顶面的空隙率为3％以下。

上述主体顶面或上述安置部顶面在25℃下测得的导热率值与在800℃下测得的导热率值之间的比为1:0.2至3。