[发明专利]碳化硼烧结体及包含该碳化硼烧结体的蚀刻装置

权利要求书

1.一种碳化硼烧结体，其中，所述碳化硼烧结体通过颈缩含碳化硼的颗粒而成，在400℃下测量的导热率值为27W/(m·k)以下，在25℃下测量的导热率值与在800℃下测量的导热率值之比为1:0.2至3。

2.根据权利要求1所述的碳化硼烧结体，其中，所述颗粒的粒径为1.5μm以下。

3.根据权利要求1所述的碳化硼烧结体，其中，在表面上测量的表面粗糙度为0.1μm至1.2μm。

4.根据权利要求1所述的碳化硼烧结体，其中，孔隙率为3％以下。

5.根据权利要求1所述的碳化硼烧结体，其中，在表面或截面上观察到的孔隙的平均直径为5μm以下。

6.根据权利要求1所述的碳化硼烧结体，其中，在表面或截面上观察到的孔隙的直径为10μm以上的部分的面积为5％以下。

7.根据权利要求1所述的碳化硼烧结体，其中，在等离子体蚀刻装置中，不与氟离子或氯离子接触而形成颗粒。

8.根据权利要求1所述的碳化硼烧结体，其中，相对于硅，具有55％以下的蚀刻率。

9.根据权利要求1所述的碳化硼烧结体，其中，相对于CVD-SiC，具有70％以下的蚀刻率。

10.一种蚀刻装置，其中，至少一部分包括权利要求1所述的碳化硼烧结体。